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宽禁带半导体

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宽禁带半导体技术

宽禁带半导体材料有哪些

宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多高科技领域具有广泛的应用。在现...

2024-07-31 标签：激光器电子器件半导体材料 909 0

驱动SiC MOSFET有多容易？

得益于宽禁带半导体的材料优势，SiCMOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiCMOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高...

2024-07-12 标签：MOSFET 驱动 SiC 224 0

氮化镓是什么结构的材料

氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。结构：氮化镓...

2024-01-10 标签：氮化镓金属晶格 3119 0

碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...

2023-12-29 标签：肖特基二极管碳化硅宽禁带半导体 616 0

碳化硅功率器件的电气性能优势

SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度，使得SiC 器件具有极低的导通电阻（1/100 于Si），导通损耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏...

2023-12-20 标签：二极管功率器件氮化镓 417 0

浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

在汽车和可再生能源领域，英飞凌已经获得了重大的设计胜利，相关客户的约10亿欧元的预付款将有望在2024年和2025年的财政年度为其自由现金流做出贡献。英...

2023-11-27 标签：英飞凌 SiC GaN 354 0

关于对碳化硅误解的描述

碳化硅晶圆是晶体通过切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...

2023-09-22 标签：MOSFET IGBT 硅晶圆 290 0

氮化镓(GaN)技术创新概况氮化镓衬底技术是什么

氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料 ➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电...

2023-09-04 标签：半导体材料氮化镓 GaN 897 0

手性光子源芯片开创量子态操控和传输的新路径

光子是量子力学的基本粒子之一。对光量子态的有效操控和调制，是量子计算、量子保密通信等应用的基石。手性光子源可以在光源芯片内实现对光量子态的原位调制，有利...

2023-08-21 标签：存储器显微镜量子计算 439 0

芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之...

2023-08-16 标签：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 556 0

金刚石基光电探测及激光器应用研究

金刚石具有优良的光学性能，高质量 CVD 金刚石薄膜具有十分优良的光学性能，除 3~6 μm 范围内的双声子区域存在晶格振动而产生的本征吸收峰外，在室温...

2023-08-03 标签：半导体激光器金刚石宽禁带半导体 618 0

最有发展前途的宽禁带半导体材料——金刚石基GaN问世

美国国防部高级研究计划局(DARPA)微系统技术办公室主任Mark Rosker在去年举办的CS Mantech上表示，化合物半导体行业将很快进入第三波...

2023-07-17 标签：GaN 金刚石宽禁带半导体 502 0

森国科推出最小封装碳化硅二极管具备高浪涌电流和雪崩能力

TO-220-2L封装散热效果最佳，但是相对来说占用空间； TO-252-2L封装具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高。

2023-07-13 标签：二极管 pcb 电解电容 567 0

中科院8英寸SiC导电单晶研制成功

8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题。

2023-07-05 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 356 0

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC 氮化镓 GaN 1.0万 0

功率二极管和功率晶体管的国内外研究总结

对 Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。

2023-03-30 标签：功率器件氧化镓宽禁带半导体 356 0

什么是GaN氮化镓？GaN有何优势？

GaN：由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。

2023-03-22 标签：氮化镓碳化硅宽禁带半导体 6517 0

一文解析氧化镓衬底的长晶与外延工艺

氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制造P型半导体。近期斯坦福、复旦等团队已在实验室实现了氧化镓P型器件，预计将逐步导入产业化应用。

2023-02-27 标签：氧化镓宽禁带半导体 2095 0

宽禁带半导体应用领域

　第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到...

2023-02-23 标签：新能源汽车微波通信宽禁带半导体 2666 0

第四代宽禁带半导体材料——氮化镓

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料

2023-02-23 标签：射频器件氧化镓宽禁带半导体 4069 0

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