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宽禁带半导体

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宽禁带半导体技术

氧化镓的性能、应用和成本氧化镓的应用领域

我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。

2023-02-22 标签：碳化硅氧化镓宽禁带半导体 3544 0

简述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个...

2023-02-10 标签：MOSFET SiC 宽禁带半导体 1396 0

碳化硅(SiC)二极管的种类及优势

以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相...

2023-02-04 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 1458 0

碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些

碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么碳化硅技术壁垒有哪些碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术...

2023-02-03 标签：SiC 衬底碳化硅 4354 0

简述碳化硅材料特点及优势

碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料...

2023-02-03 标签：功率半导体硅材料碳化硅 2443 0

宽禁带半导体是什么？

宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大，对应电子跃迁...

2023-02-02 标签：半导体 GaAs 宽禁带半导体 8436 0

宽禁带半导体概述碳化硅寿命面临什么挑战

宽禁带半导体，指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大，决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。

2022-12-19 标签：碳化硅宽禁带半导体 2566 0

使用导模法生长4英寸β-Ga2O3 氧化镓单晶性能分析

晶体生长使用的原料为氧化镓粉末，纯度99.999%，采用中频感应加热，铱金发热体、铱金模具，铱金坩埚周围放置氧化锆作为保温材料。

2022-11-23 标签：二极管晶体氧化镓 2973 0

半导体技术的应用半导体技术的未来发展

晶体管收音机比电子管收音机小多了，可以随身携带。但它是由晶体管、电阻、电容、磁性天线焊在一块电路板上，相互之间由导线相连。体积还比较大，装配工艺复杂。

2022-10-11 标签：无线通信晶体管太阳电池 3243 0

硫化锌宽禁带材料的光学性能及其影响因素

不同方法制备ZnS材料的光学性能差别较大。CVT制备技术采用ZnS粉末原料和气体输运剂如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶体中引入不同程度的杂质缺...

2022-07-07 标签：宽禁带半导体 3146 0

一文解读！抢占宽禁带半导体材料及应用的战略制高点！

半导体材料的研发与应用方兴未艾，正在掀起新一轮的热潮。

2022-03-02 标签：数据中心宽禁带半导体 1048 0

如何有效地检测Sic MOSFETn方案

碳化硅二极管具有非常快速的恢复时间，这可提高开关速率，并减小磁性元件和其它无源元件的尺寸，从而使最终产品具有更高的功率密度。

2021-01-06 标签：肖特基二极管碳化硅宽禁带半导体 2678 0

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四：宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证

选择TIVH差分探头的基本原则是以驱动信号的上升时间为依据，仪器系统对被测点的影响小于3%。上管信号测量考虑因素：带宽、电压范围（共模和差模）、CMRR和连接。

2020-08-11 标签：SiC GaN 泰克科技 1125 0

半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiC GaN 半导体器件 1.2万 0

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半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。
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