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标签 > 宽禁带半导体
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英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能,进一步增强市场领导地位
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的...
国内家电市场年需电机超10亿台 BLDC电机渗透率有望持续提升
电子发烧友网报道(文/程文智)随着高能效电机在汽车、农业、空调和洗衣机等领域的广泛使用,全球的电机市场得到了很大的增长。据MarketsandMarke...
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列,继续扩充宽禁带半导体产品
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
纳微半导体CTO登场SEMICON Taiwan 2021大会,介绍氮化镓技术
氮化镓(GaN)是下一代半导体技术,它的器件开关速度比传统硅器件快20倍。
50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展
据2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM展)主办方公布的信息,第三代半导体设计和方案商派恩杰半导体已确定参展,展位号E43。
中心新闻|补强汽车电子产业链,南京汽车电子芯机联动产业联盟成立
在全球范围内,芯片短缺对汽车生产的影响持续扩大。当前形势下,加速补齐关键汽车芯片自主供给体系迫在眉睫。
Cree Wolfspeed携手泰克,共迎宽禁带半导体器件发展契机与挑战
Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁带半导体行业的发展。
致工程师系列之四:宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证
第三代宽禁带半导体器件 GaN 和 SiC 的出现,推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗,又能处理超高速 dv/dt 转换,...
为第三代宽禁带制造工艺提供支持,泰克新推S530系列参数测试系统
基于新兴GaN和SiC宽禁带技术的新型半导体产品,有望实现更快的开关速度,更宽的温度范围,更好的功率效率,以及其他更多增强功能。
资料大放送 | 2020英飞凌电源与传感系统云端大会完美收官!
无论是开关电源、拓扑设计、宽禁带半导体、两轮车电气化、高效储能、5G电源等无处不在的基础功率技术,还是智能楼宇、智能家居、雷达感知、语音交互等先锋创新的...
12月11日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审...
2017-12-13 标签:宽禁带半导体 4155 0
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