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标签 > 宽禁带
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氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以...
总体来看,伺服驱动系统的发展趋势是:体积减小,质量减轻,并提升了最高转矩、转速;提高响应性,缩短调整时间;提高了整定性能,使调谐趋于简单便利;提高了扩展...
碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料,具有比传统硅材料更加优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比,碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...
碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料,具有比传统硅材料更加优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比,碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...
碳化硅二极管的优势 1.宽禁带提高了工作温度和可靠性 宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高...
固体中电子的能量分布是离散的,电子都分布在不连续的能带(Energy Band)上,价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带宽度(Energy...
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五:优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计
半桥电路(图1)广泛用于功率电子领域的多种应用,是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是,只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时,这种电路的优势...
现代电子产品的基础是半导体器件,因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能,所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
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