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标签 > 寄生电感
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迟滞比较器的延迟时间由MOSFET的交换时间决定。迟滞控制模式下反馈电压的幅度要大于迟滞电压的幅度。增量取决于输入电压,延迟时间以及等效电感。
L=5.08h[ln(4h/d)+1]其中L指过孔的电感,h是过孔的长度,d是中心钻孔的直径。从式中可以看出,过孔的直径对电感的影响较小,而对电感影响最...
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的...
安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件
近年來,工业及消费市场对于系统的要求不断提高,为达到更优秀的效率、可靠性及热性能,MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要的角色。
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