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标签 > 寄生电感
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本文开始阐述了寄生电感的概念和和寄生元件危害，其次阐述了寄生电感测量仪的设计和寄生电感产生原因或产生方式，最后介绍了PCB过孔的寄生电容和电感的计算以及使用。
电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器，会看到它的极板是用长达1米的金属薄膜卷...
用SI9000计算阻抗是大家众所周知的事情，它不仅仅只是算阻抗
先设置好传输线的长度，传输线材料（一般为copper），导体的电导率（默认为copper的电导率5.80E+07），板材的介质损耗角，信号的上升时间，最...
在电子线路中，除了50Hz整流和低频功率放大以外，1μF顶多10μF就可以很好地满足电源旁路功能，无需并接电容量比较大的电解电容器。
寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，...
对于电容，从理想的角度来讲，应该是电容的容值越大，容抗越低，对交流的滤波效果越好，然而实际上一般容值越大的电容，寄生电感也越大，其实际的阻抗值为： 电容...
IGBT的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数(1.2-1.5倍)的过载保护；另一类是高倍数（可达8-10倍）的短路保护。
最近和一些EE工程师聊到IGBT的技术问题，聊的过程中发现，他们最感兴趣的问题大多是关于功率器件极限能力的评估方法，因为这些问题直接关系到了系统的可靠性。
我们都知道电力电子装置中换流回路的杂散电感对器件的开关过程影响非常大，如果前期设计不注意，后期麻烦事会非常多，例如：器件过压高、振荡严重，EMI超标等。...
由于开关电源经常需要硬开关驱动大功率负载，在硬开关以及布局限制的情况下，功率MOSFET往往会对驱动芯片的输入和输出端形成较大的地弹电压和振荡尖峰电压。
正好手上有一块电源板，一时兴起，点了下SW节点。如下图所示，振铃还是很明显的，最高达到18.4V。
实际系统的很多方面都会在PCB布局，IC或任何其他电气系统中产生意外的寄生现象。重要的是在尝试使用SPICE仿真提取寄生效应之前，请注意电路图中无法考虑的内容。
HSIM, XA及其与VCS的混合验证方案在RF收发器芯片中的应用
本文所用测例RFIC是一款自研射频收发器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz频段，126通道，集成了频率综合器，功率放大器，调制和...
一种既能降低开关管损耗，且可降低变压器的漏感和尖峰电压的RC电路
在设计RC吸收电路时，我们必须了解整个电源网络的几个重要参数，比如输入电压、输入电流、尖峰电压、尖峰电流等。在图1所示当Q1关断时，源极电压开始上升到2...
电压尖峰和振荡是怎么来的？感性器件和容性器件共存于一个电路中，事实上，寄生电感和寄生电容是不可避免的，当阻尼系数小于1时，则电路的电阻组件无法有效抑制电...
电感是两个物理定律的结果。首先，流过导体的恒定电流会产生恒定的磁场。其次，可变的磁场在所有附近的导体中感应出电压，包括首先用于产生磁场的导体。
最近一直在说MOS管的知识，就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。
电流流过导线，会在导线的周围产生磁场。当导线电流变化时，这个磁场也会变化，变化的磁场会产生电场，这个电场将阻碍电流的变化，而阻碍电流变化的这种能力，就可...
我一直有一个感觉：咱们硬件工程师，会遇到各种各样的问题，亦或是各种各样的现象，总会有一个非常简单的解释，一句话或者是几句话，我们见多了这个解释，就自以为...
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