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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的,而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响,在导通时实际上两端还有一个电阻,这个电阻一般在几欧到几十欧之间,被称为导通电阻。导通电阻可由二极管;两端电压和导通电流求得。
MOS管的损耗是一个复杂而重要的议题,它涉及到多个因素,包括MOS管本身的物理特性、电路设计、工作条件以及外部环境等。
SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
首先,计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而...
如何给电路选择最合适的MOS产品?选择MOS管时需考虑的关键要素
MOS作为一种非常常见的分立器件,它具有开关、放大、调压等作用。MOSFET是电压控制的管子,通常,MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。
近日,锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品,为市场带来了更加高效的解决方案。
Qorvo®推出采用TOLL封装的750V4mΩSiC JFET
中国 北京,2024 年 6 月 12 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,率先在业界推出采用 T...
士兰微电子车规级MOS产品获CIAS2024年度“最具市场力产品奖”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会暨 CIAShow功率半导体、装备与材料创新展在苏州狮山国际会议中心举办,士兰微...
碳化硅MOSFET能让新能源汽车充电速度提高5-10倍,续航里程提高8%以上,能耗降低50%,优异的性能让其成为新能源汽车所需的关键元器件。
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证
3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增...
近日,昕感科技在新能源领域取得重大突破,推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0)。该产品的导通电阻...
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