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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的,而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响,在导通时实际上两端还有一个电阻,这个电阻一般在几欧到几十欧之间,被称为导通电阻。导通电阻可由二极管;两端电压和导通电流求得。
导通电阻是二极管的重要参数,它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量导通电阻的方法有测量接地网接地阻抗法、万用表测量法、接地摇表测量法...
主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏,即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏
AD5423和ADG5401F相互配合的精密模拟输出模块方案
工业过程需要对执行器进行精准而稳健的控制,以便管理流量、温度和压力等过程参数。精密模拟输出模块,即所谓可编程逻辑控制器(PLC)或分布式控制系统(DCS...
类别:IC datasheet pdf 2012-06-25 标签:导通电阻MAX14634双向电池开关
dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路...
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么? 传统模拟开关的结构如图1所示,它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成,可使正负信号传输,如果将不同VI
数字芯片最基本单元是MOSFET,其工艺发展到7nm、3nm、2nm,这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极(沟槽)宽度。早期MOSFET使用平面结构,沟...
在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得...
英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率
英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从 30mΩ到 350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电...
扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性
产品特点 1、优异的开关特性和导通特性; 2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性; 3、配合先进的封装技术,SGT ...
艾为电子推出超低导通电阻的双通道单刀双掷模拟开关-AW35321QNR
AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω(典型值)超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于...
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