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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。
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MOS管的损耗是一个复杂而重要的议题，它涉及到多个因素，包括MOS管本身的物理特性、电路设计、工作条件以及外部环境等。
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
首先，计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而...
由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。
随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。
近年IGBT这个专业名词非常的热。电子、半导体、汽车、能源、电力、控制系统等行业，好像都涉及到了这个名词。
如何给电路选择最合适的MOS产品？选择MOS管时需考虑的关键要素
MOS作为一种非常常见的分立器件，它具有开关、放大、调压等作用。MOSFET是电压控制的管子，通常，MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。
那么结温和热阻有什么用呢？--半导体器件主要通过热传递的方式对元件本身进行散热，当芯片温度升高，超过结温后会导致元件损坏。
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFE...
在一般情况下，场效应管（FET）的导通电阻越小越好，因为较小的导通电阻意味着在导通状态下，FET可以提供更低的电阻，允许更大的电流通过。
模拟开关由于其应用的信号链路为电子板低压工作环境，耐压值一般在15v以内，常见的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐压值。选择时必须注意信号链路的最...
同步Buck和异步Buck的结构对比 同步Buck的PCB布局要点
异步Buck变换器采用肖特基二极管作为续流管，而同步Buck变换器用MOSFET替代肖特基二极管进行续流，由于MOSFET的导通电阻很低，所以导通损耗较...
OVP芯片有这几个关键参数：输入电压Vin、开关连续电流Isw、过压保护电压Vovlo导通阻抗Ron、快速关断时间toff，以上参数在选型时需要特别关注。
连接器被优化了，用来进一步实现线束桥接，并且我们能看到使用48V Efuse以后，整个配电单元的体积减小了。我们在目前的信息来看，48V转换到16V的专...
当开关关断的时候，沟道电荷需要消失，电荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，对两端的电压造成影响。因此流入采样电容上的电荷会产生一个offset，off...
近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的“节...
CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些...
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。 物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V...
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但...
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指...
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