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导通电阻

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　　导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。

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导通电阻技术

春风极核AE8电机控制器拆解分析

NCEP15T14D为新洁能Super Trench系列产品，该系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Super Trench）技术，全面提升了...

2023-10-07 标签：MOSFET 导通电阻 MOS 2668 0

芯片导通电阻是什么？如何用ATECLOUD-IC测试系统测试？

导通电阻测试就是用来检测导线或连线情况是否正常的一种方法，是指两个导体间在一定电压下通过的电流所引起的电压降之比，通俗的说就是导线通电后的电阻值。芯片引...

2023-09-28 标签：导通电阻测试系统芯片测试 2361 0

关于MOS管烧毁的原因有哪些？

大电流的快速切换会导致电源轨上的电压骤降和瞬态尖峰。如果电源和控制电子设备共用一个或多个电源轨，则可能会对控制电路产生干扰。

2023-09-19 标签：二极管 MOS管导通电阻 1058 0

超结理论应用：平面VDMOS结构与超结MOSFET技术介绍

功率器件要得到较高的击穿电压，就必须使用较厚的外延层漂移区与较低的掺杂浓度，常规VDMOS的特征导通电阻与击穿电压关系如下式所示。

2023-09-18 标签：导通电阻驱动电路功率器件 6189 0

氮化镓功率器就是电容吗氮化镓功率器件的优缺点

氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开...

2023-09-11 标签：导通电阻功率器件氮化镓 684 0

SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么

相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减...

2023-09-11 标签：MOSFET 元器件导通电阻 2884 0

阈值电压对传播延迟和跃迁延迟的影响

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需...

2023-09-07 标签：NMOS 导通电阻 PMOS 1477 0

氧化镓功率器件研究成果

随着电力电子技术在汽车电子、医疗器械、航空航天等领域的应用越来越广泛，宽禁带半导体材料与器件的研究和发展也进入了加速阶段。

2023-08-24 标签：处理器功率二极管导通电阻 1181 0

氮化镓技术发展现状分析

GaN器件的功率密度是砷化镓(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽，更高的放大器增益和更高的效率,这是由于器件外围更小。

2023-08-21 标签：放大器导通电阻氮化镓 534 0

CBMG726_732模拟多路复用器功能框图及特征介绍

CBMG726/CBMG732分别是单片互补金属氧化物半导体（CMOS）32通道和双16通道模拟多路复用器。CBMG732将32个输入（S1至S32）中...

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MOS管如何选？怎么确定选的MOS是合适的？

怎么判定MOS管的带载能力，如何选择MOS管?

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MOS管导通损耗的计算方法

MOS 管计算导通损耗时，应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢？

2023-07-19 标签：MOS管导通电阻输出电流 3057 0

英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列

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新能源汽车高效节能MPQ4371的高效节能方案

MPQ4371是一款42V、6A-11A多相同步降压转换器，可以应用于新能源汽车的高级驾驶辅助系统（ADAS）、智能座舱（Cockpit）、车灯（Lig...

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CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET：功能强大的应用解决方案

摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。该器件采用SGTLV MOSFET技术，具有出色的Qg*Ro...

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芯佰微最新推出单芯片CMOS工艺器件——CBMG774

CBMG774的带宽大于200MHz；与低失真特性（通常为0.5%）相结合，使该器件广泛应用于切换USB 1.1数据信号和快速以太网信号等电路设计。

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浅谈高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

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芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器件

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NMOS晶体管线性区导通电阻详解

NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。

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mos管损坏的五种现象及原因

主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏

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