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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
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近日,锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品,为市场带来了更加高效的解决方案。
Qorvo®推出采用TOLL封装的750V4mΩSiC JFET
中国 北京,2024 年 6 月 12 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,率先在业界推出采用 T...
士兰微电子车规级MOS产品获CIAS2024年度“最具市场力产品奖”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会暨 CIAShow功率半导体、装备与材料创新展在苏州狮山国际会议中心举办,士兰微...
碳化硅MOSFET能让新能源汽车充电速度提高5-10倍,续航里程提高8%以上,能耗降低50%,优异的性能让其成为新能源汽车所需的关键元器件。
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证
3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增...
近日,昕感科技在新能源领域取得重大突破,推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品(N2M120007PP0)。该产品的导通电阻...
英飞凌科技推出集成温度传感器全新CoolMOS S7T产品系列
SSR是各种电子设备的基本配置,如果能够将传感器和超结 MOSFET集成到同一封装中,客户便可以获得多方面的好处。
艾为电子推出超低导通电阻的双通道单刀双掷模拟开关-AW35321QNR
AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω(典型值)超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于...
ROHM100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的...
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET,实现业界超低导通电阻
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应 用,开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1一体化封装的双...
在电力设备的长时间运行过程中,连接处有可能因受潮等因素影响,出现节点锈蚀、甚至断裂等现象,导致接地引下线与主接地网连接点电阻增大,从而不能满足电力规程的...
Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
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