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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
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近日,可靠性、高性能氮化镓(GAN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm宣布推出新的240瓦电源适配器参考设计。
第一款模块A2F12M12W2-F1是一个四组模块,可为 DC/DC 转换器等电路提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。
数字芯片最基本单元是MOSFET,其工艺发展到7nm、3nm、2nm,这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极(沟槽)宽度。早期MOSFET使用平面结构,沟...
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 ...
英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过技术革新,为高开关频率应用树立全新行业标杆
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念, 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 (FOM)。
Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度
汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增...
在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得...
科锐推出新型SiC功率模块产品系列——“Wolfspeed WolfPACK™
科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。
Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100V汽车级P沟道MOSFET
业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,导通电阻仅为30 mΩ。
Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET,导通电阻比其前代器件低29%
Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性
产品特点 1、优异的开关特性和导通特性; 2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性; 3、配合先进的封装技术,SGT ...
英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率
英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从 30mΩ到 350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电...
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率
节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m,Qg为6.5 nC
东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC,推荐应用为移动设备和家用电器
东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V/2.0A[1]时实现低至0.48Ω的导通电阻,较东芝的现有产品发热更低。
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²
Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。
dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路...
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