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导通电阻

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　　导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。

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导通电阻资讯

英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过技术革新，为高开关频率应用树立全新行业标杆

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念，具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数（FOM）。

2021-12-03 标签：英飞凌导通电阻 1266 0

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 ...

2022-02-07 标签：MOSFET Vishay 导通电阻 1257 0

Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率

节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS（ON）导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC

2020-11-04 标签：MOSFET Vishay 导通电阻 1240 0

东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器

东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A［1］时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。

2020-10-22 标签：东芝导通电阻驱动IC 1185 0

Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2，开启电压低至1.2V

2015-06-19 标签：Vishay 封装导通电阻 1175 0

Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® ...

2012-10-09 标签：MOSFET Vishay 导通电阻 1066 0

导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗

ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。

2023-02-10 标签：MOSFET 导通电阻功耗 1009 0

Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100V汽车级P沟道MOSFET

业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，导通电阻仅为30 mΩ。

2021-01-11 标签：MOSFET led照明 Vishay 976 0

Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。

2020-08-17 标签：MOSFET Vishay 导通电阻 962 0

ROHM新增5款100V耐压双MOSFET，实现业界超低导通电阻

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET* 1一体化封装的双...

2023-08-11 标签：MOSFET 导通电阻 Rohm 937 0

EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能

超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效...

2023-02-10 标签：开关 MOSFET 导通电阻 923 0

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。

2020-04-23 标签：MOSFET 导通电阻 Nexperia 916 0

Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET，导通电阻比其前代器件低29%

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。

2020-12-24 标签：二极管 MOSFET Vishay 909 0

Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---...

2012-05-08 标签：MOSFET Vishay 导通电阻 882 0

SiC市场供需之变与未来趋势

从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前景不明的猜测，但后...

2024-01-24 标签：MOSFET 逆变器导通电阻 876 0

昕感科技推出超低导通电阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻...

2024-01-04 标签：MOSFET 导通电阻 SiC 857 0

合科泰推出一款采用TO-263封装的N沟道MOS管HKTE180N08

大功率MOS通常具有耐高电压和扛大电流等特性，在大功率应用场景如电车、储能电站、光伏等高功率应用上具有重要作用。

2024-03-22 标签：锂离子电池 MOS管导通电阻 846 0

士兰微电子车规级MOS产品获CIAS2024年度“最具市场力产品奖”

2024年4月23-24日，CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会暨 CIAShow功率半导体、装备与材料创新展在苏州狮山国际会议中心举办，士兰微...

2024-04-26 标签：士兰微电子导通电阻 IGBT 801 0

TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关

TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m...

2009-12-18 标签：负载 TI 导通电阻 800 0

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 标签：MOSFET 导通电阻 SiC 769 0

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