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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
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Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。
dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路...
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。
Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET
MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON),外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2,开启电压低至1.2V
Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在...
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® ...
Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET--...
Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---...
瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET-...
飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ ...
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么? 传统模拟开关的结构如图1所示,它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成,可使正负信号传输,如果将不同VI
TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关,其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m...
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