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标签 > 导通电阻
导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比,是二极管的重要参数。
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dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力,越大越好。对系统来说,过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰,较差的EMI特性,不过该变化速率通过系统电路...
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么? 传统模拟开关的结构如图1所示,它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成,可使正负信号传输,如果将不同VI
数字芯片最基本单元是MOSFET,其工艺发展到7nm、3nm、2nm,这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极(沟槽)宽度。早期MOSFET使用平面结构,沟...
在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得...
英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率
英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从 30mΩ到 350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电...
扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性
产品特点 1、优异的开关特性和导通特性; 2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性; 3、配合先进的封装技术,SGT ...
艾为电子推出超低导通电阻的双通道单刀双掷模拟开关-AW35321QNR
AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω(典型值)超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于...
Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度
汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增...
飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ ...
Vishay推出最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在...
近日,可靠性、高性能氮化镓(GAN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm宣布推出新的240瓦电源适配器参考设计。
科锐推出新型SiC功率模块产品系列——“Wolfspeed WolfPACK™
科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。
瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET-...
Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源
TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²
Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET--...
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