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标签 > 封装
封装,Package,是把集成电路装配为芯片最终产品的过程,简单地说,就是把Foundry生产出来的集成电路裸片(Die)放在一块起到承载作用的基板上,把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。作为动词,“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作;
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技术资料#ISO7721 坚固的EMC、双通道、1/1、增强型数字隔离器
ISO772x 器件是高性能双通道数字隔离器,具有符合 UL 1577 标准的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封装)和 3000 VRMS(D ...
技术资料#LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET
该LMG3425R050集成了硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA...
应用资料#QFN12x12封装600V GaN功率级热性能总结
德州仪器(TI)提供的一种新的驱动器集成氮化镓(GaN)功率级产品系列已在一个低成本、紧凑的四扁平无引脚(QFN)封装中实现,该封装尺寸为12mm x ...
技术文档:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3626 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术资料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3622 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术资料#LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术资料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 S...
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封装 GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测介绍
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
TI DRV7308 具有保护和电流检测功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能电源模块 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN),用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 ...
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