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标签 > 射频器件
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耦合器与功分器搭配使用,主要为了达到一个目标—使信号源的发射功率能够尽量平均分配到室内分布系统的各个天线口,使每个天线口的发射功率基本相同。
三功分器则有一个输入口和3个输出口;当然还有四功分器。插入损耗是功分器的重要指标。无线信号经二功分后能量损失10log2=3dB,再加上无源器件本身的介...
射频器件主要用于处理高频信号,如射频天线、射频放大器、射频滤波器等。它们专注于在无线通信、雷达、微波系统和其他射频应用中产生、传输和接收高频信号。
第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料
氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓(GaN)基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的电子特性和高频特性,适用于高功率、...
射频器件包括射频开关和LNA,射频PA,滤波器,天线Tuner和毫米波FEM等,其中滤波器占射频器件市场额约50%,射频PA占约30%,射频开关和LNA...
射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大(...
功分器(Power Divider)是一种被用于将一个输入信号分成多个输出信号的无源射频器件。功分器通常用于将输入信号平均分配到多个输出端口,或者将多个...
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和...
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