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工艺技术

一种大规模、3D且可拉伸的电路制造

可拉伸电子器件在医疗、显示和人机交互等领域具有重要应用，实现多层集成可提高设备功能密度。然而，当前制造方法主要集中于小尺寸设备，难以满足大规模生产需求及...

2024-12-25 标签：3D 工艺电子器件 137 0

SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用及GAA结构中的作用

本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高...

2024-12-20 标签：半导体工艺 SiGe 362 0

晶圆制造中的T/R的概念、意义及优化

在晶圆制造领域中，T/R（Turn Ratio）指在制品的周转率。它是衡量生产线效率、工艺设计合理性和生产进度的重要指标之一。本文介绍了T/R的概念、意...

2024-12-17 标签：工艺晶圆制造 315 0

晶圆制造recipe(工艺配方)的定义、重要性、种类及构建和验证方式

本文介绍了在半导体制造领域，recipe（工艺配方）的定义、重要性、种类，以及构建和验证方式，并介绍了优化方向。在半导体制造领域，recipe（工艺配...

2024-12-10 标签：半导体工艺晶圆制造 373 0

详解电容的测试条件

CMOS 工艺技术平台的电容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要应用在0.35μm及以上的亚微米及微米工艺...

2024-12-04 标签：CMOS 电容工艺 313 0

大马士革铜互连工艺详解

芯片制造可分为前段(FEOL)晶体管制造和后段(BEOL)金属互连制造。后段工艺是制备导线将前段制造出的各个元器件串连起来连接各晶体管，并分配时钟和其他...

2024-12-04 标签：元器件工艺晶体管 1072 0

IGBT模块的环氧灌封胶应用工艺介绍

IGBT模块的环氧灌封胶应用工艺是一个专业性很强的领域，涉及到材料的选择、配比、混合、脱泡、灌封、固化等多个步骤。

2024-12-04 标签：封装工艺 IGBT 344 0

金属方块电阻的测试条件

CMOS 工艺平台的金属方块电阻的测试结构包含该平台的所有金属层，例如如果该平台使用五层金属层，那么金属方块电阻的测试结构就有第一层金属（M1）方块电阻...

2024-12-03 标签：CMOS 电阻测试 219 0

Poly方块电阻的测试条件

CMOS工艺平台的Poly 方块电阻有四种类型的电阻，它们分别是n型金属硅化物 Poly 方块电阻、P型金属硅化物 Poly 方块电阻、n 型非金属硅化...

2024-11-29 标签：CMOS 电阻测试 356 0

简述方块电阻的测试方法

CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方块电阻和金属方块电阻，它们的版图尺寸是依据工艺技术平...

2024-11-27 标签：CMOS 电阻半导体 410 0

浅谈WAT测试类型

虽然 WAT测试类型非常多，不过业界对于 WAT测试类型都有一个明确的要求，就是包括该工艺技术平台所有的有源器件和无源器件的典型尺寸。芯片代工厂会依据这...

2024-11-27 标签：CMOS 测试工艺 454 0

顶层金属AI工艺的制造流程

顶层金属 AI工艺是指形成顶层金属 AI 互连线。因为 Cu很容易在空气中氧化，形成疏松的氧化铜，而且不会形成保护层防止铜进一步氧化，另外，Cu 是软金...

2024-11-25 标签：晶圆工艺光刻胶 299 0

IMD4工艺是什么意思

IMD4 工艺是形成 TMV （Top Metal VIA，顶层金属通孔）的介质隔离材料，同时IMD4 会隔离第三层金属和顶层 AL金属。IMD4 的材...

2024-11-25 标签：工艺材料刻蚀 313 0

IMD3工艺是什么意思

IMD3工艺包括 IMD3a工艺和IMD3b工艺。IMD3a 工艺是形成 VIA2 的介质隔离材料，同时 IMD3a 会隔离第二层金属和第三层金属，IM...

2024-11-25 标签：工艺材料刻蚀 243 0

接触孔工艺的制造流程

接触孔工艺是指在 ILD 介质层上形成很多细小的垂直通孔，它是器件与第一层金属层的连接通道。通孔的填充材料是金属钨（W），接触孔材料不能用Cu，因为 C...

2024-11-15 标签：晶圆工艺光刻 413 0

IMD1工艺是什么意思

IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

2024-11-15 标签：工艺刻蚀 IMD 312 0

金属层1工艺的制造流程

金属层1工艺是指形成第一层金属互连线，第一层金属互连线的目的是实现把不同区域的接触孔连起来，以及把不同区域的通孔1连起来。第一金属层是大马士革的铜结构，...

2024-11-15 标签：集成电路晶圆工艺 282 0

ILD工艺的制造流程

ILD 工艺是指在器件与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD介质层可以有效地隔离金属互连线与器件，降低金属与衬底之间的寄生电容，改善金属横...

2024-11-12 标签：工艺晶体管介质材料 807 0

Salicide工艺的制造流程

Salicide 工艺是指在没有氧化物覆盖的衬底硅和多晶硅上形成金属硅化物，从而得到低阻的有源区和多晶硅。

2024-11-11 标签：晶圆工艺刻蚀 473 0

SiC的离子注入工艺及其注意事项

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。

2024-11-09 标签：工艺制造 SiC 353 0

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