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第九步退火,离子注入后也会产生一些晶格缺陷,退火是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热,使得注入的粒子扩散,恢复晶体结构,修复缺陷,激活所需要的电学特性。
实验设计(DOE)是半导体工程研发中一个强大的概念,它是研究实验变量敏感性及其对器件性能影响的利器。如果DOE经过精心设计,工程师就可以使用有限的实验晶...
SiP封装是指将多个不同芯片集成在同一个封装体内,形成一个器件系统,以实现多功能、小尺寸、高性能、低成本的目标。由于使用倒装等不同的互连工艺,它可以分为...
自 20 世纪 80 年代发展至今,IGBT 芯片经历了 7 代技术及工艺的升级,从平面穿通型(PT)到微沟槽场截止型,IGBT 从芯片面积、工艺线宽、...
引线键合是指在半导体器件封装过程中,实现芯片(或其他器件)与基板或框架互连的一种方法。作为最早的芯片封装技术,引线键合因其灵活和易于使用的特点得到了大规...
装片又称黏片。广义的装片是指通过精密机械设备将芯片或其他载体,利用粘贴介质将其固定在为达成某种功能而构建的平台、腔体或任意材料组成的器件内。狭义的装片是...
封装互连是指将芯片I/0端口通过金属引线,金属凸点等与封装载体相互连接,实现芯片的功能引出。封裝互连主要包括引线键合( Wire Bonding, WB...
毛坯在设计制造前,结构工程师与冷、热工艺师充分沟通,确定最优毛坯形状,局部区域实现近净成型,提高材料利用率,减少机械加工余量,缩短加工周期。常用的毛坯精...
动力电池制造过程焊接方法与工艺的合理选用,将直接影响电池的成本、质量、安全以及电池的一致性。 接下来就整理一下动力电池焊接方面的内容。 还是先来原理,好...
可见光激光器的应用是十分广泛的,甚至有人说可见激光是比LED更棒的光源。但是其发展的主要困难是如何选择合适的有源层、限制层材料以及对应的生长工艺。
设计图样上所采用的基准称为设计基准。如图下图所示的箱体,A、B为孔中心位置的尺寸,其设计基准为①、②面,它们在图上反映出来的是线。孔径D的设计基准为轴线...
棕化:内层芯板经过棕化处理后,在铜面形成一层均匀的棕色有机金属膜,可增强铜面与半固化片的结合力,同时在高温压合过程中,阻止铜与半固化片的氨基发生反应。产...
随着薄膜产品对品质和性能指标要求的增加,现代等离子体薄膜沉积工艺必须考虑到电弧不可避免的影响,并将尽可能减轻电弧导致的损坏。对于大多数等离子体工艺而言,...
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在...
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