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模具温度40~50℃,注射压力:200~600bar,注射速度建议使用快速的注射速度,流道和浇口可以使用所有常规类型的浇口。PS料在加工前,除非储存不当...
外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲,外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造,...
将表面贴装元件直接集成到挠性电路的蚀刻铜焊盘图形上,与刚性电路板的组装工艺没有什么不同。然而为了最大限度地提高机器人组装效率,提高挠性电路的产量,电路设...
在当前计算密集的高性能系统中,动态随机存储器(DRAM)和嵌入式动态随机存取存储器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器...
金丝键合是微组装制造工艺的关键工序,为解决电子产品金丝球焊合格率低的问题,根据金丝球焊的键合原理和工作过程,选取了键合压力、超声功率、超声时间、加热台温...
追求更小的 DRAM 单元尺寸(cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点,DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无...
选择元器件时应优先考虑国产化的元器件,避免选择国外定制或敏感度较高的器件,一旦发生突发状况,将影响元器件的采购。原材料的选择应从材料的物理和化学特性多方...
详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工艺节点之后,传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量,NAND集...
烧渗法也叫被银法。这种方法是在陶瓷的表面烧渗一层金属银,作为电容器、滤波器的电极或集成电路基片的导电网络。银的导电能力强,抗氧化性能好,在银面上可直接焊...
热平衡等离子体中,电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3eV。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度,...
由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时,MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大,扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比,大...
InAs/GaSb II类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以灵活地设计成各种新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,可以...
其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞产生的自由基,自由基至少带有一个不成对的电子, 因此并不稳定。自由基在化学上非常活跃,能夺取其他原子或分子的电子形...
等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如,IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀,等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体...
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