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开关损耗

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开关损耗技术

探讨高输出电流应用时的注意事项其1

上一篇文章介绍了输入电压升高时损耗增加的部分、注意事项及相应的对策。本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事项之一。探讨高输出电流应用时的注...

2023-02-23 标签：MOSFET 输出电流开关损耗 766 0

DC/DC评估篇损耗探讨-同步整流降压转换器的开关损耗

上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工...

2023-02-23 标签：MOSFET 降压转换器开关损耗 1006 0

通过驱动器源极引脚将开关损耗降低约35%

－接下来，请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引...

2023-02-16 标签：驱动器引脚开关损耗 713 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-电路板布线布局相关的注意事项

本文的关键要点・由于具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装和不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装的引脚分配不同，因此在图案布局时需要注意。

2023-02-09 标签：驱动器电路板布线 613 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-有无驱动器源极引脚的差异及其效果

本文的关键要点・具备驱动器源极引脚，可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。・具备驱动器源极引脚，可以提高导通速度。

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器引脚 688 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-传统的MOSFET驱动方法

MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 1069 0

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著这两大优势。

2023-02-08 标签：IGBT SiC 功率模块 1038 0

深度剖析开关电源内部的各种损耗

开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这...

2023-01-29 标签：开关电源开关损耗导通损耗 753 0

MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。

2022-10-25 标签：三极管 MOSFET MOS管 1853 0

PFC MOSFET的开关损耗测试方案

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗...

2022-10-19 标签：MOSFET MOS管 PFC 2011 0

IGBT管的功耗讲解

通态损耗Ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 标签：IGBT 续流二极管开关损耗 2627 0

有源钳位反激转换器如何比传统QRF运行得更快

QRF 功率转换器是 150W 或更低输出功率范围内的低功率离线应用的热门选择，原因有很多

2022-08-10 标签：转换器电源转换器开关损耗 5554 0

终端区域对开关损耗的物理分析

尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在高功率应用中。带隙是基于半导体的电路的一个相关因素，因为高带隙在高温、电压...

2022-07-29 标签：MOSFET 开关损耗 1229 0

IGBT开关损耗产生的原因与PiN二极管的正向恢复特性

大家好，这期我们再聊一下IGBT的开关损耗，我们都知道IGBT开关损耗产生的原因是开关暂态过程中的电压、电流存在交叠部分，由于两者都为正，这样就会释放功...

2022-04-19 标签：二极管 IGBT 开关损耗 4715 0

通过AI嵌入实现EV范围提高多达12％

Pre-Switch通过将AI嵌入到FPGA中来解决这一挑战，该FPGA用于精确控制辅助谐振晶体管的时序，如图1所示为S1和S2。

2021-03-16 标签：fpga AI 开关损耗 9587 0

提升电源效率带LLC的PFC常规模拟控制设计解决方案

最近几十年，电源的效率要求发展迅猛，与曾经教科书中描述的要求大相径庭，实现既定额定条件下的高效率只是设计的第一步，而真正完全合格且具有竞争力的电源设计必...

2020-12-18 标签：电源设计 EMI滤波器 LLC 5707 0

关于开关节点产生的开关损耗问题探讨

同步整流降压转换器的同步开关（高边＋低边）是对VIN和GND电压进行切换（ON/OFF），该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。

2020-04-06 标签：降压转换器开关损耗 1043 0

开关损耗的准确测量

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。

2019-07-31 标签：开关电源开关损耗 6230 0

如何准确的测量开关损耗

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。...

2019-06-27 标签：开关电源开关损耗 2368 0

入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密...

2018-07-04 标签：MOSFET SiC 开关损耗 9563 0

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