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成立于2013年1月，注册资本为14，168万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积A
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新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET民信微
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源M
新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L民信微
新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，
新洁能NCE3407 NCE P通道增强模式电源MOSFET民信微
新洁能NCE3407是一款采用先进沟槽技术的NCE P通道增强模式电源MOSFET，民信微具备出色的RDS（ON）性能。
NCE2301 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOT-23民信微
新洁能NCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSNCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSFET采用先进的沟槽技
新洁能最具有核心竞争力 公司简介： 公司实力：（科技实力强，国内功率半导体领航者） 新洁能(605111)股份有限公司成
2023-02-21 标签： 新洁能 2207 0
无锡新洁能股份有限公司产品表
2022-06-06 标签： 新洁能 368 0
睿熙科技杭州新总部正式启用 新洁能获“产才融合突出贡献”称号
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无锡新洁能股份有限公司产品表.pdf
2022-01-18 标签： 新洁能 536 0
无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为14，168万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
目前公司员工总共300余人，其中研发人员80余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商，芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产，封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。
公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖，且获得2020年度国家技术发明奖。截至目前，公司拥有135项专利，其中发明专利36项；同时公司参与在IEEE，TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇。2021年6月，公司荣列“福布斯2021中国最具创新力企业榜TOP50”。
无锡电基集成科技有限公司位于无锡市新吴区电腾路6号，于2017年03月21日成立，是无锡新洁能股份有限公司的全资子公司。公司注册资本27000万元，占地15272平方米，建筑面积为21467平方米，目前封装测试车间面积为8000平米，主要封装形式为SOT、TO系列、DFN产品封装。公司专注于高性能、高可靠性功率半导体分立器件和多芯片电源管理器件的封装和测试，主营业务为电力电子元器件、集成电路及半导体模块产品的设计、制造和销售。公司具有当前世界先进水平的半导体器件封装和测试生产线，主力设备全部从美国、日本、新加坡等国进口，自动化程度高，保证了产品的稳定性，为现代化大生产提供了坚实基础。
公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业，也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。
公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具...
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大...
2022-01-18 标签：新洁能 0 536
KOYUELEC光与电子提供无锡新洁能股份有限公司产品表立即下载
2022-06-06 标签：新洁能 0 368
2021-10-27 标签：新洁能 0 511
新洁能最具有核心竞争力 公司简介： 公司实力：（科技实力强，国内功率半导体领航者） 新洁能(605111)股份有限公司成立于2013年，2020年在上交...
2023-02-21 标签：新洁能 2207 0
睿熙科技杭州新总部正式启用 新洁能获“产才融合突出贡献”称号
近日，浙江睿熙科技有限公司乔迁仪式在良渚生命科技小镇14号楼举行。良渚新城管委会领导、睿熙科技董事会代表、合作伙伴们及公司员工等参加本次乔迁仪式。睿熙科...
连续四年排名前十，功率器件领先企业新洁能昨日上市，连续两天涨停！
9月28日，半导体功率器件设计公司新洁能在上交所主板正式挂牌上市，上市当天股价一字涨停，截至收盘股价为28.67元/股，较发行价涨幅44%，今天新洁能继...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| NCE65T360D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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|
|
| NCEP055N85D | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
获取价格
|
|
| NCEP033N85D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.95mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):24pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
获取价格
|
|
| NCEP050N85D |
获取价格
|
||
| NCE70T360D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
获取价格
|
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