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标签 > 新洁能
成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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NCE82H110 | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCEP1580 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):44.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):17.9pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCE1570 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):148.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.644nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):178pF@75V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCE65TF130 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):260W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):37.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.07nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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NCEP40T15A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.75mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):81nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.9nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCE30TD60B |
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NCE55P30 | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCE30H15 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; |
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NCE65T360 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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NCEP01T11 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):108A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; |
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NCE8295AK | MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L |
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NCE30H11K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.987nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):368pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCE60P28AK |
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NCEP18N10AK |
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NCE70T1K2K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):304pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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NCEP0116K | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCE30H11BK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCE60P20K | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):46.1nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.485nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):104pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCEP1545K | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
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NCE3095K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):95W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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NCE0106Z | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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NCE0202ZA | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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NCE15TD60BD |
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NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
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BSS138K | BSS138K - NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET - Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd |
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BSS138 | BSS138 - NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET - Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd |
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NCEP0225F | MOSFETs N-Channel TO220F Vds=200V Vgs=±20V Id=25A Pd=45W |
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NCE01P30 | MOSFETs TO220-3L P-沟道 VDS=100V ID=30A |
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NCE4015S | MOSFETs N-Channel Vds=40V Vdss=45V Vgs=±20V Id=15A Pd=3.1W SOP8_150MIL |
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