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标签 > 新洁能
成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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NCEP01T13A | N沟道超级沟道功率MOSFET VDS=100V ID=135A TO220-3L |
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NCE01P18K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=120mΩ@4.5V TO252 |
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NCE8295AD | MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L |
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NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
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NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):75W |
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NCE0140KA | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE40TD60BT | IGBT TO247 600V ±30V 1.7V |
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NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
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NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
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NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
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NCE0103Y | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L |
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NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):21W |
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NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
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NCE65T360K | N沟道 Vdss:650V Id:11.5A Pd:101W |
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NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.3W |
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NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):55W |
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NCE30P15S | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3.1W |
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NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):69W |
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NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
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NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
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NCE55P15K | P沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):35W |
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NCEP1520K | N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):68W |
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NCE30NP07S | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V ID:6.5/7 功率(Pd):2W |
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NCE07TD60BF | 600V,7A,沟槽式FS II快速IGBT |
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NCE2030 | MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3 |
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NCE60P04Y | MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3 |
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NCE6003Y | N-channel Id=3A VDS=60V SOT23-3 |
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NCE30P30K | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):60W |
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NCE30P12S | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3W |
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NCE60TD60BT | 600V,60A,沟槽式FS II快速IGBT |
获取价格
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