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标签 > 新洁能
成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE60P50K | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):95W |
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NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
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NCE55P05S | NCE55P05S |
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XJNG2103 | XJNG2103 |
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NCE6075 | NCE6075 |
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NCE65T1K2K | NCE65T1K2K |
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NCE30P25S | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=14mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
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NCE01H13 | NCE01H13 |
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NCEP0160G | NCEP0160G |
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NCE01H10 | NCE01H10 |
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NCE2309 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 |
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NCE6003 | NCE6003 |
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NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
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NCEP15T14D | NCEP15T14D |
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NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):90W |
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NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.8W |
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NCE0103M | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE40P40K | P-channel Id=40A VDS=40V TO252-2 |
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NCE4080K | N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):80W |
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NCE6005AS | 个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W |
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NCE40P13S | MOS管 P-channel Id=13A VDS=40V SOP8_150MIL |
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NCE65TF099 | N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):38A 功率(Pd):322W TO220 |
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NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):110W TO220-3L |
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NCE60P10K | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):45W |
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NCE30H12 | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):120W |
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NCE609 | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 功率(Pd):40W |
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NCEP85T14 | N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):140A 功率(Pd):200W |
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NCEP85T14D | MOSFETs N-Channel Vdss:85V Id:140A Pd:200W |
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NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):110W |
获取价格
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