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标签 > 新洁能
成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):45W |
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NCE6050KA | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):85W |
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NCE6075K | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):110W |
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NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11.5A 功率(Pd):32.6W |
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NCE82H140 | N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L |
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NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W |
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NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
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NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE3401AY | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L |
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NCE3415 | P沟道增强型功率MOSFET |
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NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):3W |
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NCE40H12K | N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):120W |
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NCE40H21 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE4435 | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.1A 功率(Pd):3.1W |
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NCE20P70G | MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM |
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NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
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NCE01P13K | MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W |
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NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE2304 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
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NCE30H10K | MOSFETs N沟道 30V 100A 5.5mΩ@10V TO-252 |
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NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
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NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):85W |
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NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.25W |
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NCEP0178AK | N沟道 Vdss=100V Id=78A RDS(On)=9.5mΩ@4.5V |
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NCEP039N10D | N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):135A 功率(Pd):220W |
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NCEP15T14 | N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):140A 功率(Pd):320W |
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NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
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