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苏州旗芯微半导体专利：内存数据读取方法、系统及计算机设备

此项申请主要涉及内存数据读取方法、系统及计算机设备。在其中一个实施案例里，内存能够在接到主机的读取指令后，从内存阵列中提取目标数据，然后将其反馈至主机。

2024-05-24 标签：半导体内存旗芯微 367 0

旗芯微半导体与伊世智能达成战略合作关系

近日，旗芯微半导体与伊世智能共同宣布达成战略合作。双方将携手合作，针对车载控制器信息安全防护这一关键领域，共同构建整车信息安全纵深防御体系的最核心层。

2024-01-04 标签：控制器智能网联汽车旗芯微 842 0

旗芯微在全球智能汽车高端控制器芯片领域获逆势融资

回顾2023年，虽然半导体行业遭遇周期性调整，WSTS预测该年度全球半导体市场规模同比下滑9.4%。然而，旗芯微依然逆流而上，获得了两轮融资。如此优异成...

2024-01-03 标签：半导体市场 WSTS 旗芯微 506 0

旗芯微半导体与伊世智能建立战略合作关系

近日，旗芯微半导体与伊世智能共同宣布了一项重大战略合作。双方将携手合作，共同推进车载控制器信息安全防护和整车信息安全纵深防御体系的建设。作为最核心的领域...

2024-01-02 标签：半导体控制器旗芯微 705 0

旗芯微宣布完成数亿元新一轮融资

2024年1月2日，苏州旗芯微半导体有限公司（以下简称“旗芯微”）正式宣布，他们已经成功完成了B+及B++轮的两轮新进融资。这次的融资活动吸引了多方参与...

2024-01-02 标签：半导体智能汽车旗芯微 1073 0

东软睿驰与旗芯微半导体战略合作强化车规级MCU领域的软件集成与应用创新

近日，东软睿驰与旗芯微宣布达成战略合作，双方将依托各自领先的专业技术和资源优势，强化在车规级MCU领域的软件集成与应用创新，助力车企构建针对下一代E/E...

2023-10-27 标签：车规MCU 东软睿驰旗芯微 1503 0

普华基础软件与旗芯微合作打造车规级MCU的整体软件解决方案

近日，普华基础软件与旗芯微正式宣布达成战略合作，双方将致力于共同打造车规级MCU的整体软件解决方案，在AUTOSAR基础软件、工具软件、功能安全、信息安...

2023-10-18 标签：mcu 软件普华 1405 0

旗芯微与普华基础软件联合打造国产车用安全数字底座

旗芯微是韩国最好的汽车规格控制器芯片提供商，核心团队是韩国唯一拥有mcu 8/16/32位开发能力的原生团队。公司提供asil-b、asil-d的高性能...

2023-08-11 标签：mcu 控制器芯片汽车芯片 964 0

旗芯微半导体与上海电驱动、知从科技签署战略合作框架协议

2023年6月29日，旗芯微，上海电驱动，知从科技共同签署了战略合作框架协议。三方将在汽车领域进一步深化合作，推动纯国产化的电驱控制器产品落地。

2023-07-04 标签：半导体控制器汽车 741 0

旗芯微半导体与上海电驱动、知从科技签署战略合作框架协议

2023年6月29日，旗芯微，上海电驱动，知从科技共同签署了战略合作框架协议。三方将在汽车领域进一步深化合作，推动纯国产化的电驱控制器产品落地。旗芯微...

2023-07-04 标签：新能源汽车半导体旗芯微 840 0

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京瓷株式会社成立于1959年4月1日。川村诚为现任代表取缔役社长。资本金为1，157亿332万日元。截至2006年3月31日为止的年度销售额达到1，181，489百万日元，集团公司包括关联公司在内共计183家，员工61，468名。
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6G网络将是一个地面无线与卫星通信集成的全连接世界。6G，即第六代移动通信标准，也被称为第六代移动通信技术。主要促进的就是物联网的发展。截至2019年11月，6G仍在开发阶段。6G的传输能力可能比5G提升100倍，网络延迟也可能从毫秒降到微秒级。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技术，MU-MIMO（多用户多入多出）技术允许路由器同时与多个设备通信，而不是依次进行通信。MU-MIMO允许路由器一次与四个设备通信，WiFi6将允许与多达8个设备通信。WiFi6还利用其他技术，如OFDMA（正交频分多址）和发射波束成形，两者的作用分别提高效率和网络容量。WiFi6最高速率可达9.6Gbps。
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DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类：升压型DC/DC转换器、降压型DC/DC转换器以及升降压型DC/DC转换器。
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过零检测指的是在交流系统中，当波形从正半周向负半周转换时，经过零位时，系统作出的检测。可作开关电路或者频率检测。漏电开关的漏电检测是检测零序电流。
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特斯拉线圈又叫泰斯拉线圈，因为这是从“Tesla”这个英文名直接音译过来的。这是一种分布参数高频串联谐振变压器，可以获得上百万伏的高频电压。
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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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