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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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B772S |
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US3DCG |
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SK1117-2.5 | 输出类型:-; |
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SK1117-1.5 | 输出类型:-; |
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SK35P10 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,10A; |
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SK120N03B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,20A; |
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2SB766A | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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KTA1663Y | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB1115 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB804 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):290mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@500mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SD1614 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):135@100mA,1V; |
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2SD2150R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,0.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,2V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC2883Y | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SD1898Q | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB805 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@5mA,1V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB806 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@5mA,1V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC2884Y | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC5053R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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SK2307A | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):16V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; |
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DSR1MW | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV; |
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SK1117-1.2 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:1.2V;输出电流:1.4A;电源纹波抑制比(PSRR):-; |
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SK1117-ADJ | 1A双极线性稳压器 SOT-223 30V -40~85℃ 6.30 x 3.50mm |
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78M06 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:35V;输出电压:6V;输出电流:500mA;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); |
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BZT52C15 | 15V 0.5W |
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BZT52C3V6 | 3.6V 0.5W |
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BZT52C11 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):11V;稳压值(范围):10.4V~11.6V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@8V;阻抗(Zzt):30Ω; |
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BZT52C27 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):27V;稳压值(范围):25.1V~28.9V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@21V;阻抗(Zzt):70Ω; |
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BZT52C33 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):33V;稳压值(范围):31V~35V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@25V;阻抗(Zzt):80Ω; |
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SD103CW | 直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA; |
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BZT52C36 | 36V 0.5W |
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