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普冉半导体(上海)股份有限公司是低功耗SPI NOR Flash存储器芯片和高可靠性IIC EEPROM存储器芯片的供应商。作为-家技术创新型半导体设计公司,总部位于上海张江高科技园区,深圳设有销售和现场应用服务与支持中心。
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普冉“存储+”战略下,闪存与MCU互为优势,2024上半年实现高增长
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存储器芯片供应商普冉半导体(上海)股份有限公司发布了2022年第一季度报告,报告显示,普冉半导体2022年第一季度营业收
【芯闻精选】普冉半导体科创板IPO成功过会;美光宣布批量出货1α DRAM产品…
1月27日,美光宣布批量出货基于1α (1-alpha) 节点的DRAM产品。对比美光上一代1z DRAM制程1α技术将
普冉半导体(上海)股份有限公司是低功耗SPI NOR Flash存储器芯片和高可靠性IIC EEPROM存储器芯片的供应商。作为-家技术创新型半导体设计公司,总部位于上海张江高科技园区,深圳设有销售和现场应用服务与支持中心。
作为半导体行业的创新者,普冉联合国内领先晶圆厂, 整合 先进的设计和工艺优势,致力于研发28nm~ 55nm低功耗、可靠性的NOR型串行Flash存储器产品,可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品,具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势,为MCP和MCU方案商提供了-个很好的选择。
普冉还推出的130nm非易失性IIC EEPROM存储器具备业界领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗,在智能电网、汽车前装、工业控制、以及新兴的IoT领域广泛应用。
普冉“存储+”战略下,闪存与MCU互为优势,2024上半年实现高增长
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2024年上半年,普冉半导体实现营收8.96亿元,同比增加91.22%,实现扣非前净利润 1.36亿元,同比增长273.7...
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2022-05-22 标签:普冉 1217 0
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1月27日,美光宣布批量出货基于1α (1-alpha) 节点的DRAM产品。对比美光上一代1z DRAM制程1α技术将内存密度提升了40%。
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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PY32F003F18P6TU | 32位ARM®Cortex®-M0+微控制器 1.7V~5.5V 32MHz 64KB FLASH 8Kb SRAM |
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PY32F002AL15S6TU | 32位ARM Cortex-M0+ 微控制器 1.7V~5.5V 24MHz 20Kb SOP8 |
获取价格
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P25Q32H-SSH-IT | P25Q32H-SSH-IT |
获取价格
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P25Q32H-UXH-IR | 超低功耗,32M位串行多I/O闪存 USON8_2X3MM_EP |
获取价格
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P25Q40H-TSH-IR | Ultra Low Power, 4M/2M/1M/512K-bit Serial Multi I/O Flash Memory |
获取价格
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