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晶体管

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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晶体管资讯

台积电1.4nm，有新进展

由于中科二期扩建先前已获台中市都市计划委员会通过变更案，内政部昨天审议通过，符合台积电内部预期，因此公司除了感谢相关单位协助外，不对此案后续规划做任何回应。

2023-12-27 标签：半导体台积电晶体管 1176 0

半导体行业迈入"材料时代"，创新材料至关重要

他强调了材料领域的创新对于提升半导体元件生产效率至关重要。对此，默克集团电子业务总经理凯·贝克曼（Kai Beckmann）亦持相同看法，并赞同未来...

2023-12-27 标签：半导体晶体管材料 630 0

英飞凌科技推出集成温度传感器全新CoolMOS S7T产品系列

SSR是各种电子设备的基本配置，如果能够将传感器和超结 MOSFET集成到同一封装中，客户便可以获得多方面的好处。

2023-12-26 标签：传感器继电器 MOSFET 510 0

下一代晶体管有何不同

在经历了近十年和五个主要节点以及一系列半节点之后，半导体制造业将开始从 FinFET过渡到3nm技术节点上的全栅堆叠纳米片晶体管架构。相对于FinFE...

2023-12-26 标签：晶体管蚀刻 492 0

英特尔CEO基辛格：摩尔定律放缓，仍能制造万亿晶体

帕特·基辛格进一步预测，尽管摩尔定律显著放缓，到2030年英特尔依然可以生产出包含1万亿个晶体管的芯片。这将主要依靠新 RibbonFET晶体管、Pow...

2023-12-26 标签：芯片摩尔定律晶体管 757 0

IBM发布首款专为液氮冷却设计的CMOS晶体管

IBM突破性研发的纳米片晶体管，通过将硅通道薄化切割为纳米级别的薄片，再用栅极全方位围绕，实现更为精准控电。此结构使得在指甲盖大小空间内可容纳最多达50...

2023-12-26 标签：IBM 晶体管纳米 831 0

可性能翻倍的新型纳米片晶体管

IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴...

2023-12-26 标签：处理器芯片晶体管 746 0

面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势

近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。

2023-12-26 标签：电动汽车逆变器晶体管 1261 0

英特尔CEO基辛格：摩尔定律仍具生命力，且仍在推动创新

摩尔定律概念最早由英特尔联合创始人戈登·摩尔在1970年提出，明确指出芯片晶体管数量每两年翻一番。得益于新节点密度提升及大规模生产芯片的能力。

2023-12-25 标签：芯片摩尔定律晶体管 691 0

英特尔希望在2024年超越其芯片制造竞争对手

过去五年来，英特尔在先进芯片制造方面一直落后于台积电和三星。现在，为了重新夺回领先地位，该公司正在采取大胆且冒险的举措，在其台式机和笔记本电脑Arrow...

2023-12-25 标签：英特尔晶体管芯片制造 805 0

增强GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能以适应实际器件应用

热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。

2023-12-24 标签：半导体晶体管 SiC 1461 0

在金刚石上制造出的氮化镓晶体管散热性能提高2.3倍

氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。

2023-12-22 标签：晶体管氮化镓 GaN 1295 0

信号发生器接晶体管放大电路的方法与技巧

信号发生器接晶体管放大电路的方法与技巧一、引言在电子设备中，信号发生器是一种能够产生稳定、准确信号的仪器，常常用于测试和校准其他电子设备。而放大电路...

2023-12-21 标签：放大电路晶体管偏置电路 937 0

SiC三极管与SiC二极管的区别

SiC三极管与SiC二极管的区别 SiC三极管与SiC二极管是两种使用碳化硅（SiC）材料制造的电子元件，它们在结构、特性和应用领域等方面存在一些明显...

2023-12-21 标签：三极管二极管晶体管 965 0

基于N32系列MCU的小尺寸TFT彩屏应用

TFT液晶屏(Thin-FilmTransistorLiquidCrystalDisplay)采用基于薄膜晶体管的液晶显示技术，具有分辨率高、图像显示细...

2023-12-21 标签：mcu 晶体管 TFT彩屏 770 0

特斯拉为何对碳化硅忽冷忽热？

第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料，锗做的晶体管曾经也是流行的老大，但由于速度较慢、不耐热等缺点，在八十年代初就被硅基管给取代了，一直到现今...

2023-12-20 标签：晶体管特斯拉半导体器件 268 0

IC的片内和片间非均匀性是什么？有什么作用呢？

IC的片内和片间非均匀性是什么？有什么作用呢？ IC的片内和片间非均匀性是指在IC设计和制造的过程中，芯片内部或芯片之间出现的性能或结构的不均匀分布现象...

2023-12-19 标签：集成电路 IC设计晶体管 681 0

金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展

氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其优异的大功率高频性能在大功率射频器件领域具有广阔的应用前景。

2023-12-19 标签：晶体管氮化镓偏置电压 1158 0

具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究

GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。

2023-12-19 标签：led 半导体晶体管 846 0

意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽...

2023-12-15 标签：转换器意法半导体晶体管 1094 0

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