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标签 > 晶体管
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
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HEMT(High Electron Mobility Transistor),高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体...
为了充分发挥有机材料可溶液法处理的优势,研究者们提供了一种结合喷墨打印技术和刮涂印刷的全印刷器件制备工艺-使用定点喷墨打印完成电极的构筑,并使用刮涂印刷...
磁性随机存储器(MRAM)是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件,其核心结构由一个磁性隧道结和一个访问晶体管构成。MTJ 呈现“三明治”结构,两层磁性固...
芯片上数据的输入和输出 (IO) 是计算的命脉。将内存置于芯片上有助于通过减少通信开销来减少 IO 需求,但归根结底,这是一种有限的扩展途径。处理器必须...
中广芯源新推出的SC3987 是一款降压型 PWM 转换器,典型输出驱动电流为 3.8A 无需外加晶体管。设计允许它可在 8V~30V 的宽输入电压下工...
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩
Ÿ 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩 Ÿ 预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合,包括两种全新的IMS...
4月15日上午,一年一度的省级科学技术领域最高级别盛会——广东省科技创新大会在广州召开。会上颁发了2021年度广东省科学技术奖。
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“找到与半导体良好的金属接触是一个与半导体本身一样古老的问题,”斯坦福大学的研究员 Aravindh Kumar 说。“随着每一种新的半导体被发现(在我...
GaN材料是第三代半导体的典型代表,具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此,GaN材料可以很好地满足耐高温、高频率和功率大...
力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件,与高精度示波器 (HDO) 结合使用时,可提供最准确的氮化镓 (GaN) 和碳...
2004年左右,第一个氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。 2008年,氮化镓金属氧化物...
楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,SK hynix Inc. 已部署 Cadence® Spectre® FX S...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。作为少数载流子器件,IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性,同时拥有与...
电子发烧友网报道(文/章鹰)英伟达迎来了高光时刻。英伟达创始人兼CEO黄仁勋在GTC大会上,高调宣布最新Hopper架构的H100 GPU系列。这款号称...
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