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标签 > 晶圆
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。
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金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
电池由正极、负极和隔膜组成,其电极片非常薄,在电池生产过程中,将正负极片裁成需求尺寸大小,通过真空吸盘从堆栈中抓取,随后将正极片、隔膜、负极片叠合成小电芯单体
芯片上的IC管芯被切割以进行管芯间连接,通过引线键合连接外部引脚,然后进行成型,以保护电子封装器件免受环境污染(水分、温度、污染物等);保护芯片免受机械...
通常来说,对于小芯片减薄划片时使用UV膜,对于大芯片减薄划片时使用蓝膜,因为,UV膜的粘性可以使用紫外线的照射时间和强度来控制,防止芯片在抓取的过程中漏...
高频探针卡是芯片、晶圆测试中的重要工具,它可以将高频信号从芯片中提取出来并进行分析,是芯片、晶圆测试世界中的神器。
晶圆切割时,经常遇到较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和先进对准运算的设备。
前一个步骤完成后,需要用金刚石锯切掉铸锭的两端,再将其切割成一定厚度的薄片。锭薄片直径决定了晶圆的尺寸,更大更薄的晶圆能被分割成更多的可用单元,有助于降...
金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有...
目前主流的实现方式是使用绝缘体上硅(Silicon on Insulator)技术。使用等离子体浸没注入或者晶圆键合技术制造SOI Wafer,在硅下面...
做过封装设计,做过PCB板级的设计,之前和网友有过交流,问题是:为什么要封装设计?信号完整性体系从大的方面来看:芯片级->封装级->板级。
长电科技针对QFN后道可以采用冲压或封装成品切割方式。冲压分离是在封装流程的最后把塑封过的封装体通过冲压的方式从整条框架上分离出来,而以阵列式排布的封装...
其全流程涉及了从 EUV 光源到反射镜系统,再到光掩模,再到对准系统,再到晶圆载物台,再到光刻胶化学成分,再到镀膜机和显影剂,再到计量学,再到单个晶圆。
严重的离子轰击将产生大量的热量,所以如果没有适当的冷却系统,晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀,晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层,如果晶圆温度超过1...
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