晶圆

半导体晶圆的双流体清洗技术

一直以来，对于粒子的洗涤效果，以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)为指标进行讨论。通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片...

2022-04-13 标签：晶圆清洗 2746 0

应用于后蚀刻TSV晶圆的表面等离子体清洗技术

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封装的关键推动者，可提高封装密度和器件性能。要实现3DIC对下一代器件的优势，TSV缩放至关重要。

2022-04-12 标签：晶圆清洗TSV 1203 0

用于单晶片清洗的超临界流体

使用超临界流体去除污染物的过程，即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度，使其能够快速穿透缝隙和边界层膜，并...

2022-04-12 标签：晶圆工艺清洗 1203 0

采用三种刻蚀方法制备黑硅材料

本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅，研究发现，在400~2200nm的波长内，光的吸收显著增强，其中飞秒激光用六氟化...

2022-04-06 标签：半导体晶圆刻蚀 3011 0

半导体晶圆清洗工艺技术

溶液中含有大量稀释的盐酸去离子水。清洗槽其下部的megaSonic发生器，用于选择性 应用megaSonic能量。油箱里有快速卸油阀底部使解决方案能够被...

2022-03-31 标签：半导体晶圆工艺 928 0

微机械中的各向异性蚀刻技术与发展方向

单晶S1， 作为IC、LSI的电子材料， 用于微小机械部件的材料，也就是说，作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是， 除了单晶SI或机械性强之外，...

2022-03-29 标签：晶圆单晶硅刻蚀 1311 0

微机械结构硅片的机械减薄研究

本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研...

2022-03-29 标签：集成电路mems晶圆 710 0

Si晶圆表面金属在清洗液中的应用研究

随着器件的集成化，对Si晶片的要求也变得更加严格，降低晶片表面的金属污染变得重要，这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的...

2022-03-28 标签：晶圆检测晶片 1223 0

一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法

提供了一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法。该方法开始于向设置在衬底上方的邻近头提供第一加热流体。然后，在基板的表面和邻近头的相对表面之间产生...

2022-03-22 标签：半导体晶圆工艺 1666 0

湿清洗后晶圆旋转速度对金属线的影响

在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染...

2022-03-16 标签：半导体晶圆制造 1133 0

湿化学清洗过程中晶片污染控制方法

本文讨论并演示了痕量污染物分析仪的功能。该分析工具利用电喷雾飞行时间质谱仪对晶圆清洗溶液进行全自动在线监测。该分析仪通过其在正负模式下提供强(元素)和弱...

2022-03-08 标签：半导体分析仪晶圆 1526 0

兆声波辅助湿法化学处理去除

由TOK、JSR、陶氏化学等公司生产的新一代负色调和化学放大的正色调光阻剂在先进的包装应用中获得了发展势头。随着铜柱和微凸起的采用，树脂的厚度要求正在增...

2022-03-08 标签：晶圆工艺热量 1212 0

研究碳化硅衬底和外延的实验报告

摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓...

2022-02-15 标签：晶圆衬底镀膜 1950 0

使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和...

2022-01-27 标签：半导体晶圆化学 2672 0

关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告

摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa)，以及在低温下生长的能力(450C)，这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。...

2022-01-25 标签：机械晶圆化学 2081 0

智能刻蚀带来突破性的生产力提升

增加电路密度而不必移动到新技术节点的优势使得垂直扩展成为半导体行业的强大驱动力。但它也有一系列挑战，其中关键的挑战便是刻蚀能力。

2022-01-24 标签：NAND晶圆泛林集团 943 0