晶圆

用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 标签：多晶硅半导体晶圆 3430 0

O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为

引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89...

2022-01-12 标签：晶圆单晶蚀刻 1175 0

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积...

2022-01-05 标签：pcb半导体晶圆 1241 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蚀化学及HF辅助刻蚀的观察

关键词:玻璃陶瓷；氢氟酸；蚀刻条件；蚀刻速率；机制 引言 我们江苏华林科纳研究了氧化镁-氧化铝-二氧化硅玻璃陶瓷在氢氟酸中的腐蚀条件和机理。结果表明，在...

2022-01-04 标签：半导体晶圆刻蚀 2284 0

SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理

摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻...

2021-12-31 标签：晶圆镀膜刻蚀 4756 0

Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列

摘要 在本文中，我们研究了测试晶圆和PERC太阳能电池的不同工业适用清洗顺序，并与实验室类型的RCA清洗进行了比较。清洁顺序pSC1、HF/HCl、HF...

2021-12-31 标签：太阳能电池太阳能晶圆 1747 0

异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分

引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片...

2021-12-30 标签：晶圆晶片光谱 6023 0

Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响

引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二...

2021-12-29 标签：半导体晶圆晶片 1425 0

紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用

引言 紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等...

2021-12-28 标签：晶圆纳米晶片 959 0

揭秘半导体制造全流程（中篇）

在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。

2021-07-26 标签：半导体晶圆半导体制造 1.4万 0

发光二极管光强可靠性研究

发光二极管作为电子产品中不可缺少的一个器件，光强的一致性与亮度是重要指标。因此，随着贴片器件的常规化使用，除了要求在小型化、多元化方面优化之外，对于光强...

2021-05-02 标签：二极管晶圆封装 2586 0

ARIMA时间序列模型的建立及在半导体行业领域的应用

当今半导体产业面临全球化的巨大挑战，不但存在行业内部企业之间的竞争，行业与行业之间的竞争也日益激烈，直接导致市场需求不确定因素急剧增加;另外，近年来半导...

2021-03-24 标签：半导体晶圆 4758 0

超高去除速率研磨剂ER9212在Cu MEMS工艺中的应用

高密度IC器件涉及互连的多层堆叠。化学机械平坦化（CMP）工艺为光刻需求提供了晶圆上的平滑表面，已成为半导体制造中获得高良率的关键工艺。

2021-01-27 标签：芯片半导体晶圆 2632 0

解决裸硅圆片上金属污染的互补性测量技术解析

作者：Lamoureux Violette，Figarols François，Pic Nicolas，Vitrani Thomas 就产品质量和生产环...

2021-02-23 标签：晶圆光谱技术 5448 0