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标签 > 晶导微电子
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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B5819WT | 肖特基二极管 电压:40V 电流:1A SOD-523 |
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D5N65 |
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D11N20 |
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DS22W | 直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):550mV@2A; |
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US1BW | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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DS38W | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):700mV@3A;反向电流(Ir):300uA@80V; |
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DS115W |
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DSL14W | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):450mV@1A; |
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S8550-H | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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S8550-H | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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MM1Z43 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):43V;稳压值(范围):40V~46V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@33V;阻抗(Zzt):130Ω; |
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MM1W51 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):51V;稳压值(范围):48.6V~54V;精度:-;功率:1W; |
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MM1Z30 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):30V;稳压值(范围):28V~32V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@23V;阻抗(Zzt):80Ω; |
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MM1Z24 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):24V;稳压值(范围):22.8V~25.6V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@19V;阻抗(Zzt):60Ω; |
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MM1Z39 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37V~41V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@30V;阻抗(Zzt):100Ω; |
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BAV20W | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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MM1Z2V4 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.4V;稳压值(范围):2.28V~2.9V;精度:±5%;功率:500mW; |
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MM1W10 | 10V 1W |
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SMBJ6.0A | ESD抑制器/TVS二极管 Vrwm=6V Vbr(min)=6.67V Vc=10.3V@Ipp =58.3A SMB |
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SMDJ130CA | ESD抑制器/TVS二极管 SMC 双向 VRWM=130V Ipp=14.4A Pppm=3KW |
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SMBJ75A | ESD抑制器/TVS二极管 Vrwm=75V Vbr(min)=83.3V Vc=121V@Ipp=5A SMB |
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BAV23C | 开关二极管 VRRM=250V Io=200mA Trr=50ns P=350mW SOT23 |
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SMAFJ20A | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=20V VBR(Min)=22.2V VC=32.4V IPP=12.3A Ppp=400W SMAF |
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SMBJ170CA | ESD抑制器/TVS二极管 双向 Pppm=600W Ifsm=100A Cj=390pF Vrwm=170V Vbr=189V~209V Vc=275V@2.2A |
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1N4003W | 整流二极管 SOD123FL Vrrm=200V Id=1A Ifsm=30A Vf=1.1V Cj=8pF Ir=5µA |
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P6SMBF6.8A | ESD抑制器/TVS二极管 5.8V 600W 58.1A SMBF 390pF 10.5V -55℃~+150℃ |
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MSB56L | 桥式整流器/整流桥 VRRM=60V If=5A VF=450mV IR=300μA UMSB |
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1SMA4763A | 齐纳/稳压二极管 Vz=91V 86V~96V Izt=2.8mA IR=1µA P=1W SMA |
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1SMB5938B | 齐纳/稳压二极管 Vz=36V 34.2V~37.8V Izt=10.4mA IR=1µA@27.4V SMB |
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MM1W12 | 齐纳二极管 Vz=12V 11.4V~12.6V Izt=21mA IR=5μA P=1W SOD123 |
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