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标签 > 晶导微电子
文章:3个 浏览:2006次 帖子:0个
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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1SMA4738A | 稳压二极管 Vz=8.2V 7.79V~8.67V Izt=31mA P=1W SMA |
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RS2G | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向电流(Ir):5μA@400V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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MM1Z6V2W | 硅平面齐纳二极管 Vz=6.2V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM3Z2V0W | 稳压二极管 Vz=2V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W |
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MM3Z6V8W | 硅平面稳压二极管 Vz=6.8V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W |
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MM3Z20W | 稳压二极管 Vz=20V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W |
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MM1Z27W | 硅平面齐纳二极管 Vz=27V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM1Z56W | 硅平面齐纳二极管 Vz=56V Izt=2.5mA Pd=500mW |
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MM3Z47BW | 稳压二极管 Vz=47V Pd=400mW Izt=2mA SOD323 |
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MM1Z4V3W | 硅平面齐纳二极管 Vz=4.3V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM1Z6V8W | 硅平面齐纳二极管 Vz=6.8V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM3Z5V6W | 硅平面稳压二极管 Vz=5.6V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W |
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MM1Z13W | 硅平面齐纳二极管 Vz=13V Izt=5mA Pd=500mW |
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BZT52C39SW | 硅平面齐纳二极管 耗散功率:200mW,正向压降:0.9V |
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MM1Z2V4W | 硅平面齐纳二极管 Vz=2.4V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM3Z12W | 硅平面稳压二极管 Vz=12V Pd=300mW Izt=5mA SOD323W |
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MM3Z36W | 硅平面稳压二极管 Vz=36V Pd=300mW Izt=2mA SOD323W |
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BZT52C43W | 硅平面齐纳二极管,功率耗散:500mW,正向压降:0.9V |
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MM1Z5V1BW | 硅平面齐纳二极管 Vz=5.1V Izt=5mA Pd=500mW |
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MM3Z5V1BW | 稳压二极管 Vz=5.1V Pd=400mW Izt=5mA SOD323 |
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MM1Z12W | 硅平面齐纳二极管 Vz=12V Izt=5mA Pd=500mW |
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BZT52C12SW | 硅平面齐纳二极管 耗散功率:200mW,正向压降:0.9V VC=12V SOD323W |
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ES2EBF | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.25V@2A 反向电流(Ir):5μA@300V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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RS3GBF | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向电流(Ir):5μA@400V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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RS2B | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向电流(Ir):5μA@100V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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RS5BC | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.3V@5A 反向电流(Ir):5μA@100V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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ES2KB | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向电流(Ir):5μA@800V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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SMF100CA | ESD抑制器/TVS二极管 Vrwm=100V Vbr min)=111V Vc=162V@Ipp =1.1A SOD123FL |
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1SMAF4754A | 硅平面稳压二极管 |
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ES5BBF | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1V@5A 反向电流(Ir):10μA@100V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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