晶格

源漏嵌入SiGe应变技术简介

与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用...

2024-07-26 标签：SiGePMOS晶格 1457 0

源漏嵌入SiC应变技术简介

源漏区嵌入SiC 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程 NMOS 的速度，它是通过外延生长技术在源漏嵌入 SiC 应变材料，利用硅和碳晶格常数...

2024-07-25 标签：NMOSSiC晶格 843 0

先进的热控制可确保LED使用寿命

LED 是复杂的固态器件。图 1 显示了典型器件的横截面，显示了构成封装 LED 的各种结构。为简单起见，我们将组件分为 3 个区域。首先，包含 p/n...

2024-01-29 标签：led模型晶格 423 0

晶体知识——固溶体介绍

当一种组元A加到另一种组元B中形成的固体其结构仍保留为组元B的结构时，这种固体称为固溶体。B组元称为溶剂，A组元称为溶质。组元A、B可以是元素，可以是化合物。

2023-11-25 标签：晶体晶格 4448 0

研究人员利用范德华（vdW）纳米材料制造纳米级谐振器

当与电子器件相结合时，红外光可以在分子水平上使传感、成像及信号传输设备实现小型化和加快速度。为了充分利用红外光的优势，用于红外光学和光电应用的材料需要达...

2023-11-08 标签：纳米材料谐振器晶格 781 0

晶体结构解析：空间点阵和晶胞

晶体的微观结构，是指晶体中实际质点(原子､离子或分子)的具体排列情况。

2023-11-05 标签：晶体晶格晶胞 5967 0

硅基复合衬底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格结构材料工艺研究

碲镉汞材料具有截止波长在红外波段内可调节、光学吸收系数高、量子效率高等特点，是重要的红外探测器应用材料之一。近年来分子束外延生长碲镉汞技术的快速发展，使...

2023-09-26 标签：探测器测温仪晶格 721 0

带间级联红外探测器的光电流输运与量子效率研究

基于II类超晶格的带间级联探测器首次由俄亥俄州立大学的杨瑞青教授提出，并已成功应用于红外光电探测中，其工作原理如图1所示。当光照射在器件上，吸收区中的电...

2023-09-25 标签：探测器量子红外探测器 937 0

金属材料激光加工过程中的四大阶段

激光束首先在金属工件表面进行聚焦形成激光光斑，由菲涅尔吸收原理可知，在距离金属材料加工表面几纳米深度的位置处激光能量进行聚集。金属中的自由电子开始吸收光...

2023-09-15 标签：金属材料晶格激光束 1310 0

基于锯齿形石墨烯纳米带及其五元环衍生结构的自旋卡诺电子学器件设计

为了减小界面处的晶格形变，提高电子透射性能，我们基于STGNR和5-STGNR纳米带，设计了全新的自旋卡诺电子学器件。采用非平衡态格林函数结合密度泛函理...

2023-09-12 标签：半导体石墨烯晶格 1121 0

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器研究进展

随着材料技术的发展，InAs/GaSbⅡ类超晶格（T2SLs）的优越性日益凸显，特别适用于中长波红外（MLWIR）和甚长波红外（VLWIR）探测。基于I...

2023-09-09 标签：探测器晶格PIN 1527 0

索铪-氧化锆-氧化铝谐振器的温度稳定方法

新开发的原子工程技术为高k电介质中的铁电行为提供了令人兴奋的机遇，高k电介质是与硅相比具有高介电常数的材料。这还可以为更先进且具有更广泛功能或特性的CM...

2023-08-22 标签：谐振器频谱显微镜 568 0

首次发现！石墨烯的新边界！

石墨烯作为一种由单层碳原子构成的二维材料，凭借其卓越的电子性质引起了广泛关注。科学家一直在积极研究石墨烯的边界态，这些边界态展现了独特的能带结构、拓扑性...

2023-08-21 标签：石墨烯晶格二维材料 674 0

常见晶格类型有哪些?特点是什么?

每个面为两个相邻的晶胞所共有，每个面心格点只有二分之一是属于一个晶胞，而处于顶角上的每个格点只有八分之一属于一个晶胞，所以每个面心立方晶胞只含有4个格点。

2023-07-20 标签：金刚石晶格硅晶体 8904 0