晶片

半导体晶片湿蚀工艺的浮式数值分析

本研究透过数值解析，将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法，了解目前蚀刻阶段流动的形式，并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用...

2022-01-19 标签：半导体晶片 527 0

关于刷洗清洗过程中的颗粒去除机理的研究报告

引言 随着集成电路结构尺寸的缩小，颗粒对器件成品率的影响变得越来越重要。为了确保高器件产量，在半导体制造过程中，必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷...

2022-01-18 标签：半导体晶片 632 0

关于硝酸浓度对硅晶片腐蚀速率的影响报告

引言 薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术，因...

2022-01-17 标签：半导体晶片 804 0

对于不同KOH和异丙醇浓度溶液中Si面蚀刻各向的研究

引言 氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力，改变了硅的蚀刻各向异性，显著降低了(...

2022-01-13 标签：蚀刻晶片 1885 0

刷洗清洗过程中的颗粒去除机理—江苏华林科纳半导体

引言 化学机械抛光是实现14纳米以下半导体制造的最重要工艺之一。此外，化学机械抛光后缺陷控制是提高产量和器件可靠性的关键工艺参数。由于亚14纳米节点结构...

2022-01-11 标签：半导体晶片 658 0

控制碱性蚀刻液的表面张力

引言 氢氧化钾(KOH)和添加剂2-丙醇(异丙醇，IPA)通常用于单晶硅片的碱性织构化，以减少其反射。氢氧化钾和异丙醇在水中的蚀刻混合物需要明确定义氢氧...

2022-01-04 标签：蚀刻晶片表面张力 969 0

在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成

引言 到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱...

2021-12-28 标签：蚀刻晶片光刻胶 887 0

用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻

分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形...

2021-12-22 标签：晶圆晶片 1370 0

无化学添加剂的单晶硅晶片的无损抛光

半导体行业需要具有超成品表面和无损伤地下的硅晶片。因此，了解单晶硅在表面处理过程中的变形机制一直是研究重点。

2021-12-22 标签：晶片单晶硅 1004 0

晶片键合技术和薄膜传输技术

结合离子注入工艺、激光照射和去除牺牲层，晶片键合技术是将高质量薄膜转移到不同衬底上的最有效方法之一。本文系统地总结和介绍了苏州华林科纳的晶片键合技术在电...

2021-12-21 标签：晶片GBDT 2767 0

涡街流量计检测技术之压电晶体式传感器

漩涡发生体是涡街流量计的关键部件 , 仪表的流量特性（仪表系数、线性度、范围度等）和阻力特性都与它的几何形状、几何参数和排列方式密切相关。流体通过漩涡发...

2021-12-16 标签：晶片压电传感器 1229 0