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标签 > 极紫外光刻

极紫外光刻

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极紫外光刻技术

微纳制造技术:定向自组装(DSA)终于找到了立足点

微纳制造技术:定向自组装(DSA)终于找到了立足点

英特尔的发言人表示,该公司目前正在寻求多种利用定向自组装(DSA)的集成工艺流程。“我们在 SPIE 等会议上公开讨论过的一个工艺流程是使用 DSA 进...

2023-08-22 标签:DSA极紫外光刻机器学习 3654 0

晶圆静电吸附(ESC)详解

晶圆静电吸附(ESC)详解

什么是真空吸盘? 晶圆真空吸盘通常由坚硬的表面构成,表面上有许多小孔或通道。通过这些小孔,吸盘可以与真空泵连接,从而产生真空效应。

2023-09-08 标签:晶圆温度控制芯片封装 3394 0

华为EUV光刻解决相干光无法匀光问题

该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror,FFM)、光阑复眼镜 32(diaphragm flyeye mirror,PF...

2022-11-21 标签:照明系统光刻极紫外光刻 898 0

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极紫外光刻资讯

什么是极紫外光刻 极紫外光刻优势介绍

掩模版的缺陷的光学检测极为困难。通常,光学检测可以获得表面缺陷和相缺陷引起的所有转印缺陷,但是由于 EUV 的多层掩模结构,使得这些缺陷被埋在多层薄膜的下面。

2022-10-24 标签:极紫外光刻EUV光刻机 6687 0

首次加入EVU极紫外光刻 台积电二代7nm+工艺开始量产

台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术,意义非凡,也领先Intel、三星一大步。

2019-05-28 标签:台积电极紫外光刻7nm 3441 0

中科院研究了一种新算法,该算法优化了源代码和掩码模式,社交学习策略提高了系统效率   

2021年3月5日消息,近日,中国科学院上海光学精密机械研究所的研究人员提出了一种基于厚掩模模型和社会学习的极紫外光刻(EUVL)源掩模优化(SMO)技...

2021-03-08 标签:极紫外光刻启发式算法 1706 0

光刻胶材料的重大突破 极紫外光刻迈向实用

新式半导体光刻技术中,极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一,不过其实现难度也相当高,从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年, 仍然未能投入...

2010-06-17 标签:极紫外光刻光刻胶材 1564 0

450毫米晶圆2018年量产 极紫外光刻紧随其后

全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2...

2013-04-21 标签:晶圆极紫外光刻 1376 0

美国NIST发布极紫外光刻分析报告

EUVL是下一代半导体芯片制造的关键步骤。目前唯一一家生产EUVL扫描仪组件的公司是总部位于荷兰的ASML。EUVL系统并非仅在荷兰制造,而是由在全球开...

2023-09-11 标签:激光器极紫外光刻ASML 1188 0

首次采用EUV技术!英特尔宣布Intel 4已大规模量产

 据英特尔中国透露,极紫外光刻技术正在驱动着算力主导着ai、先进移动网络、自动驾驶及新数据中心和云应用软件等计算需求最高的应用软件。另外,该技术将对英特...

2023-10-16 标签:英特尔移动网络极紫外光刻 809 0

传台积电法说会前夕传下修资本支出,今年恐低于300亿美元

台积电公司近年来资本支出高速扩张,去年达到363亿美元的最高值。今年上半年的实际资本支出为181亿1000万美元,包括第二季度的资本支出81亿7000万...

2023-10-17 标签:台积电极紫外光刻3纳米 679 0

英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步

近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规模量产的如期实现,再次证明了英特尔正以强...

2023-10-13 标签:英特尔极紫外光刻量产 410 0

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