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标签 > 栅极
栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
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既然MOSFET栅-源阻抗非常大,为什么设计驱动MOS电路的栅极电流还要大?1200字说清楚
三极管是流控型器件,通过电流控制三极管的工作区,而MOSFET与之相对是压控型器件,栅-源阻抗非常大,我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略,那...
MOS管的阈值电压(Threshold Voltage)是一个至关重要的参数,它决定了MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通与截止状态,对MOS...
五极管的帘栅极既不等同于阳极,也不等同于阴极,它是五极管特有的一个电极,具有独特的功能和作用。 五极管主要由屏极、抑制栅极、控制栅极、帘栅极和阴极五个电...
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Line Edge Roughness (LER) 线边缘粗糙度
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逆变器带载栅极波型的原因是一个复杂的问题,涉及到多个方面的因素。 逆变器的工作原理和结构 逆变器是一种将直流电能转换为交流电能的电力电子设备,广泛应用于...
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。在IGB...
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MOS芯片是一种常见的电子器件,其中MOS管(MOSFET)是一种常用的三端器件,包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。了解M...
英飞凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)
本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术,与标准技术相比,可大幅减少静态损耗,并具备高可...
圣邦微电子推出 SGM48211 系列 120V 高压半桥栅极驱动产品。器件可应用于电信,数据通信,便携式存储的 48V 或更低电压系统中的电源转换器,...
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