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栅极

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栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

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栅极技术

一文详解正电压浪涌的对策和效果

作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。本文将会通过示例来探讨正电压浪涌的对策和其效果。

2022-03-29 标签：栅极浪涌电压浪涌 2353 0

简单认识功率MOSFET的结构特点

　　功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET，但很少用于耐高压的功率电路中)，如下图是这种MOSFET的分层结构图。

2023-02-16 标签：电阻 MOSFET 场效应管 2130 0

采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFE...

2023-02-09 标签：MOSFET 封装栅极 2115 0

7种MOSFET栅极电路的常见作用，不看不知道！

2023-12-15 标签：电路 MOSFET 栅极 2097 0

MOS管的相关参数

MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

2023-09-27 标签：MOS管参数栅极 2001 0

igbt功率管栅极和集电极并联电容的作用

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。在IGB...

2024-08-07 标签：IGBT 栅极集电极 1927 0

干货！75例经典电气控制接线图、电子元件工作原理图

下图所示是一感应测电笔线路。它可方便地测出导线的断芯位置。在用来测导线断芯位置时，在导线一端接上220V的电源相线，然后用感应测电笔的探头栅极靠近被测导...

2023-06-12 标签：栅极电气控制接线图 1919 0

MOSFET特性参数详解

任何情况下都不允许超过的最大值。

2023-03-20 标签：MOSFET 封装参数 1870 0

自举电路在高电压栅极驱动电路中的应用

根据电容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故电容两端电压从0升到VDD时，取决于电流和电容的比值。容值一定时，电流越大，电压上升越快；电...

2023-05-11 标签：二极管 MOS管栅极 1786 0

MOS管的阈值电压是什么

MOS管的阈值电压（Threshold Voltage）是一个至关重要的参数，它决定了MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通与截止状态，对MOS...

2024-10-29 标签：MOS管栅极阈值电压 1577 0

SGM48211系列120V高压半桥栅极驱动产品解读

圣邦微电子推出 SGM48211 系列 120V 高压半桥栅极驱动产品。器件可应用于电信，数据通信，便携式存储的 48V 或更低电压系统中的电源转换器，...

2023-11-30 标签：驱动器栅极引脚 1575 0

绝缘栅极驱动器的重要特性

在电力电子领域，例如在驱动技术中，IGBT经常用于高电压和高电流开关。这些功率晶体管是电压控制的，在开关过程中产生其主要损耗。为了最大限度地降低开关损耗...

2022-12-22 标签：处理器驱动器 IGBT 1512 0

MOSFET栅极和源极的下拉电阻有什么作用

MOSFET栅极与源极之间加一个电阻?这个电阻有什么作用?

2024-12-26 标签：MOSFET MOS管栅极 1359 0

MOSFET栅极电路的常见作用

MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因...

2023-05-04 标签：二极管 pcb MOSFET 1284 0

为什么MOSFET栅极前要放一个100Ω电阻？

为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？

2023-03-13 标签：放大器电阻 MOSFET 1277 0

PCB Layout时，MOS管栅极串联电阻放哪儿？

前一段时间有个兄弟问了个问题，把我问住了，问题是这个：如上图，串联的电阻R1到底是放在靠近IC端，还是靠近MOS端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，...

2023-09-26 标签：串联电阻 MOS管 Layout 1211 0

MOSFET栅极驱动电路的应用

常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。

2023-05-22 标签：MOSFET 晶体管栅极 1136 0

氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前...

2023-05-17 标签：栅极驱动电路氮化镓 1098 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-正电压浪涌对策

本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则...

2023-02-09 标签：MOSFET 栅极 SiC 1080 0

MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用

摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高...

2023-05-25 标签：半导体晶体管栅极 1070 0

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