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8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展，产业化再进一步

标签：半导体工艺氧化镓 1269 0

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ACS AMI：通过衬底集成和器件封装协同设计实现具有极低器件热阻的氧化镓MOSFETs

原创：Xoitec 异质集成XOI技术来源：上海微系统所，集成电路材料实验室，异质集成XOI课题组 1 工作简介超宽禁带氧化镓是实现超高压、大功率、...

2024-11-13 标签：MOSFET 封装氧化镓 334 0

异质集成氧化镓：下一代高性能功率半导体器件的新基石

来源:悦智网，作者罗拯东、韩根全等功率半导体器件作为高效电能控制和转换装置的核心器件，从其诞生之初，便作为电力电子技术的“幕后英雄”持续推动人类社会...

2024-10-21 标签：氧化镓功率半导体器件异质集成 274 0

苏州迈姆思与杭州镓仁签订先进半导体氧化镓晶圆键合领域战略合作协议

来源：苏州纳米城近日，苏州纳米城企业—苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称“迈姆思 ”）与杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁”）于杭州签订战略合...

2024-07-02 标签：半导体晶圆氧化镓 326 0

北京铭镓半导体引领氧化镓材料创新，实现产业化新突破

北京顺义园内的北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展，其技术已领先国际同类产品标准。

2024-06-05 标签：半导体氧化镓 909 0

三菱电机斥资9000亿加速研发氧化镓

三菱电机总裁Kei Urushima表示，联合开发将以"从Coherent接收衬底，采用我们的技术，然后将其返还给Coherent"...

2024-04-07 标签：三菱电机功率半导体碳化硅 724 0

我国实现6英寸氧化镓衬底产业化新突破

氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。

2024-03-22 标签：半导体材料氧化镓 520 0

晶旭半导体获睿悦控股集团亿元战略投资

据睿悦投资官微消息，2月2日，深圳市睿悦投资控股集团有限公司（以下简称“睿悦控股集团”）与福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称“晶旭半导体”）的战略投资...

2024-02-05 标签：半导体氧化镓 901 0

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单...

2023-12-29 标签：功率器件 SiC GaN 1342 0

武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组和斯洛伐克科学院Filip Gucmann课题组合作，在国际权威期刊《Small》上发表了题为“Phase-Dep...

2023-12-25 标签：太阳能电池二极管氧化镓 1358 0

基于晶圆级高导热异质集成衬底实现最高截止频率氧化镓射频器件

氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN，不仅可在更高场强、更高工作电压下工作，大幅度提升输出功率密度，还可以实现在高...

2023-11-15 标签：晶圆 SiC 射频器件 1536 0

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LED英文为（light emitting diode），LED灯珠就是发光二极管的英文缩写简称LED，这是一个通俗的称呼。LED灯珠广泛用于灯饰照明、LED大屏幕显示、交通灯、装饰、电脑、电子玩具礼品、交换机、电话机、广告、城市光彩工程等诸多生产领域
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