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标签 > 氮化硅
氮化硅基板是一种新型的材料,具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。氮化硅(SI3N4)陶瓷线路板是一种采用氮化硅陶瓷材料作为基板的高性能电子线路板。它具有优异的机械和电性能。
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铜金属化过程中,氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层(IMD)的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层(Passivatio...
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性,被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙(大约3.2电子伏特...
目前使用较多的烧结助剂是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧杂质,因此可以选用非氧化物烧结助剂来替换氧化物烧结助剂,如 YF3-MgO、MgF2...
随着集成电路工业的发展,电力电子器件技术正朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展。因此,高效的散热系统是高集成电路必不可少的一部分。
硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶...
在选择陶瓷基板材料时,还需要考虑其对电路设计的影响。不同的陶瓷基板材料具有不同的介电常数和介质损耗,这会影响到电路的传输特性和性能稳定性。因此,需要根据...
中国第3代半导体半导体理想封装材料——高导热氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”难题
2022年9月,威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模,高导热...
近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路(光子芯片)技术,得到了创纪录的...
综合上述研究可发现,虽然烧结方式不一样,但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时,需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素,因...
罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高,所以新款curamik® 基板能够帮...
如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件,适用于复杂和极端环境中的应用。在这里,我们概述了制备高导热...
瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术...
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