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氮化硅

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氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。氮化硅（SI3N4）陶瓷线路板是一种采用氮化硅陶瓷材料作为基板的高性能电子线路板。它具有优异的机械和电性能。

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氮化硅资讯

氮化硅薄膜制备方法及用途

一、氮化硅薄膜制备方法及用途氮化硅（Si3N4）薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶态绝缘体，氮化硅薄膜的介电特性优于二氧化硅，具有对可移动离子较强...

2024-11-24 标签：薄膜氮化硅 107 0

鼎龙股份CMP抛光液业务突破：千万元级订单助力产能扩张

近日，鼎龙股份宣布了其子公司武汉鼎泽新材料技术有限公司（简称“鼎泽新材料”）在CMP（化学机械抛光）抛光液领域的重大进展，标志着公司在半导体材料供应链中...

2024-07-10 标签：半导体 CMP 氮化硅 628 0

Atonarp过程控制质谱仪Aston™半导体工艺解决方案案例

上海伯东代理日本 Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™, 通过使用分子传感技术, 提供半导体制程中 ALD, CVD, 蚀刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 标签：半导体 NAND 存储器 928 0

京瓷利用SN氮化硅材料研发高性能FTIR光源

京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。

2023-12-15 标签：FTIR 氮化硅 550 0

国科光芯实现传输损耗-0.1dB/cm（1550 nm波长）级别氮化硅硅光芯片的量产

据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传...

2023-11-17 标签：芯片硅光芯片氮化硅 1676 0

国科光芯：专注氮化硅硅光技术，探索硅光产业发展新路径

第三，我们确实在今年上半年全面升级了发展战略、使命及愿景。正如刚刚在介绍国科光芯的发展里程碑话题里提到的，基于激光雷达这几年的深度研究，以及参考国际上硅...

2023-09-01 标签：激光雷达硅光子氮化硅 2061 0

介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展

超构表面为纳米光子器件赋予了更高的自由度与灵活度，使实用的微纳米光子器件的实现成为可能。

2023-07-27 标签：带通滤波器光刻机 CMOS技术 1496 0

一文了解NAND闪存技术的发展演变

随着游戏产业和数据中心的蓬勃发展，全球 NAND 市场正呈扩张之势。而由于新冠疫情的爆发，人们更多选择远程办公和在线课程，对数据中心和云服务器的需求随之增长

2023-07-24 标签：存储器 NAND闪存 slc 1225 0

常用的八大陶瓷基板材料导热率排行榜

在选择陶瓷基板材料时，还需要考虑其对电路设计的影响。不同的陶瓷基板材料具有不同的介电常数和介质损耗，这会影响到电路的传输特性和性能稳定性。因此，需要根据...

2023-05-31 标签：碳化硅陶瓷基板氮化硅 7174 0

国产氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模块，国产新能源汽车开启性能狂飙模式

新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。

2023-05-02 标签：新能源汽车半导体功率模块 1710 0

氮化硅陶瓷基板的市场优势和未来前景

氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力...

2023-04-11 标签：led 陶瓷基板氮化硅 1905 0

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。

2023-03-27 标签：半导体蚀刻氮化硅 710 0

国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车性能优势

国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势

2023-03-15 标签：新能源汽车 SiC 功率模块 1537 0

石英坩埚和石墨坩埚升级换代可重复利用的高热导氮化硅陶瓷坩埚5项优势助力我国单晶硅行业提质增效

石英坩埚和石墨坩埚升级换代可重复利用的高热导氮化硅陶瓷坩埚5项优势助力我国单晶硅行业提质增效石英坩埚在单晶硅行业的应用目前，国内拉制半导体单晶硅...

2022-12-14 标签：半导体单晶硅氮化硅 1689 0

氮化硅与氮化铝陶瓷基板究竟有何区别？

随着电子器件特别是第三代半导体的兴起和应用，半导体器件越来越小型化、集成化、多功能化，对衬底封装性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高导热性和耐热性、低热...

2022-12-09 标签：陶瓷基板氮化硅 1725 0

如何提高氮化硅的实际热导率实现大规模生产的问题解决

综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因...

2022-12-06 标签：led 集成电路电子器件 3940 0

高导热率氮化硅散热基板材料的研究进展

针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方...

2022-12-06 标签：散热基板介电性能氮化硅 1148 0

中国第3代半导体半导体理想封装材料——高导热氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”难题

2022年9月，威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模，高导热...

2022-11-11 标签：半导体封装材料陶瓷基板 5256 0

氮化硅陶瓷基板的5大应用你知道吗？

如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件，适用于复杂和极端环境中的应用。在这里，我们概述了制备高导热...

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氮化硅陶瓷基板有利于提高功率器件的可靠性及高导热性

随着能源的转换、汽车的电气化、高速铁路的普及，控制能量的功率器件的负载越来越大。结果，作为功率器件的主要部件的半导体元件产生的热量也在增加。由于热量会降...

2022-10-13 标签：功率器件陶瓷基板氮化硅 919 0

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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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