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标签 > 氮化铝基板
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氮化铝除了是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料,还可用于热交换器、坩埚、保护管、浇注模具、半导体静电卡盘、压电陶瓷及薄膜、导热填料等。
氮化铝的导热率较高,室温时理论导热率最高可达320W/(m·K),是氧化铝陶瓷的8~10倍,实际生产的热导率也可高达200W/(m·K),有利于LED中...
氮化铝具有较高的热导性,比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
大功率LED热传导主要途径是:PN结——外延层——封装基板——外壳——空气,所以封装基板的选择对LED散热至关重要。
近日,日本化工企业旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生产出了首款4英寸氮化铝(AlN)衬底,展示了公...
氮化铝基板具有低缺陷密度、高紫外线透明度和低杂质浓度、超宽带差距及高热传导效率,对uvc led及电力配件等产业非常有魅力。根据目前uvc紫外线led的...
功率型LED封装技术发展至今,可供选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。
在全球半导体科技日新月异的大背景下,日本旭化成株式会社在功率半导体等应用领域取得了令人瞩目的技术突破。该公司近日宣布,其氮化铝基板技术已实现了可使用面积...
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