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标签 > 氮化镓晶体管
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氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它...
这是NEDO关于“加强后5G信息通信系统基础设施研究开发项目”的成果。2020年6月,NEDO发布了该决定,并计划让住友电工从事高频器件高功率、小型化技...
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽车行业正经历着从内燃机(ICE)到全电动未来的巨变。VisIC Technologies的功率...
iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSF...
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 ...
2019-03-20 标签:氮化镓晶体管 666 0
放大器尺寸再减50%!TriQuint卓越增益新氮化镓晶体管
TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。Tr...
TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
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