氮化镓

茂睿芯推出全新一代氮化镓技术LD-GaN

氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。

2023-06-02 标签：变压器氮化镓GaN 579 0

拆解：公牛67W氮化镓快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！

看了一个拆解视频。公牛67W氮化镓快充移动插座。 采用黑色外壳，搭配银色面板，更加适配现代装饰风格。插座配备了一个新国标五孔插孔和一个新国标两孔插孔，并...

2023-05-29 标签：电源芯片氮化镓 2972 0

氮化镓在射频领域的优势盘点

氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常...

2023-05-26 标签：led半导体射频 1359 0

MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用

摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高...

2023-05-25 标签：半导体晶体管栅极 1070 0

集成的专业知识为X波段PA提供最佳的氮化镓解决方案

氮化镓是在高频应用中实现高效运行的无可争议的技术，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的应用。SiC器件上的GaN可以为这些应用提供急需的高温可靠性和...

2023-05-20 标签：SiC氮化镓GaN 687 0

深度拆解：纳微NV6136A助力打造联想超薄饼干65W氮化镓充电器

同时充电器具有65W主流输出功率，功率密度高达1.39W/cm³，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充协议，成为快充界的“卷王担当”。下面来...

2023-05-19 标签：控制器焊接氮化镓 1451 0

高功率GaN RF放大器的热考虑因素

氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3...

2023-05-19 标签：放大器RF氮化镓 1227 0

氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。之前...

2023-05-17 标签：栅极驱动电路氮化镓 1098 0

用于高分辨率激光雷达的氮化镓HEMT电路拓扑结构

激光雷达（LiDAR）基于通过将光束照射到物体上并准确测量反射的飞行时间来估算距离的原理。通过将发射光扫过真实世界的场景，可以收集三维信息以供计算机系统...

2023-05-06 标签：拓扑结构氮化镓激光雷达 805 0

什么是宽禁带半导体？

半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...

2023-05-05 标签：SiC氮化镓GaN 1.0万 0

第一个木制晶体管问世，主频1Hz！

前不久，来自瑞典的研究人员就设计并测试了第一个木制晶体管。团队发表了一篇题为“木材电化学晶体管中的电流调制”的论文，讨论了他们最近开发的木材电化学晶体管...

2023-05-04 标签：晶体管氮化镓碳化硅 310 0

还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件

面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。

2023-04-28 标签：晶体管FET氮化镓 718 0

氮化镓（GaN）的晶体结构与性质

到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构，它们分别为纤锌矿（Wurtzite）、闪锌矿（Zincblende）和岩盐矿（Rocksalt）。通常的情况下...

2023-04-29 标签：纳米材料氮化镓GaN 2.5万 0

什么是GaN氮化镓？Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主...

2023-04-25 标签：SiC氮化镓GaN 4337 0

纳微新一代GaNSense™ Control合封芯片的应用电路

GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护...

2023-04-25 标签：充电器氮化镓纳微半导体 377 0