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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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双基色LED显示屏由红色和绿色LED灯组成,256级灰度的双基色显示屏可显示65,536种颜色(双色屏可显示红、绿、黄3种颜色)。全彩色LED显示屏由红...
通过凹槽切断栅极下方的2DEG,使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
在现代汽车中,增加的重量和更宽的前轮胎使无辅助转向变得不切实际,因为对操作员的阻力增加。因此,几年前,采用了电动助力转向。一开始,对驾驶员的辅助是通过液...
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
近年来,以SiC(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。
日前,Power Integrations(PI)举办新品媒体线上沟通会,公司资深技术培训经理Jason Yan介绍了在美国APEC展(国际电力电子应用...
GaN 是一种优异的直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.4 eV,具有优良的光电性能、热稳定性及化学稳定性,是制作高亮度蓝绿发光二极管( LED) ...
GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。
具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲...
GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先,硅是地壳含量第二的元素,物理和化学性能良好,在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%;
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