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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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凭借领先的GaNFast™氮化镓功率芯片+强力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的产品组合,纳微半导体以双擎驱动的姿态在电力电子能源转换领域高歌前进。
氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料,具有许多优异的电子、光学和机械性质,因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料,具有优异的...
数字电源是一种将数字控制技术应用于电源管理应用的能量转换系统,具有更高的功率密度,更快的控制回路,能管理复杂拓扑以及设计灵活性等诸多优势。 关键特性与优...
碳化硅(SiC)由硅(原子序数14)和碳(原子序数6),形成类似于金刚石的强共价键,是一种坚固的六方结构化合物,具有宽禁带半导体特性。
砷化镓芯片的制造工艺要求高,需要精确控制工艺参数,以保证芯片的质量;砷化镓芯片的制造过程中,由于砷化镓的比表面积较大,容易形成气泡,影响芯片的质量;砷化...
氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性,可以更好地抵抗高温和电磁干扰,因此可以替代砷化镓。
氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺,主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”) 功率开关。只...
氮化镓功率器件可以分为三类:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(晶闸管)和JFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
当 750V 第 4 代 SiC FET 与第 3 代 650V 的比较令人吃惊——例如,6 毫欧器件显示两个 R 的强度几乎减半DS•品质因数和体二极...
氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件,氮化镓应用范围非常广泛,氮化镓在数据中心,新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技...
氮化镓是一种半导体材料,具有良好的电子特性,可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件,如晶体管、集成电路和光电器件。
GaN是一种无机物质,其化学式为GaN,是氮和镓的化合物,是自1990年以来常用于发光二极管的直接带隙半导体。该化合物在结构上类似于金鸡石,具有高硬...
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体即宽带隙半导体,具有高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等优异性能,满足了节能减排等国家重大战略需求,智...
氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片,它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
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