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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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氮化镓是一种无机化合物,它是一种稀有的金属氮化物,具有高熔点、高硬度和良好的电学性能。它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件,也可以用于制造磁性...
20世纪40年代后,传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料,与有机聚合物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯...
GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料,与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比,它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率,GaN器件可以...
2023-02-13 标签:氮化镓 687 0
氮化镓(GaN:Gallium Nitride)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定...
氮化镓(氮化镓)是一种半导体材料,是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比...
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常...
通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法(MOCVD)生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化为提高射频性能敞开了大门,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及缩小器件尺寸并最终节省系统空间。
氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,其具有宽带隙、高热导率等特点,宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合...
可换成氮化镓就不一样了,单车变轿车,开关频率得到大幅提升,损耗还更小。如此一来,充电器就能用上体积更小的变压器、电容、电感。。。。。。从而有效缩小充电器...
氮化镓(GaN)技术如今在电力电子行业风靡一时,这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度,因此能够减小电源的体积,并且降低其工作温度,该性能优势正...
仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是50...
多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件
四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件。进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的...
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