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标签 > 氮化镓

氮化镓

氮化镓

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氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。

文章:1450 浏览:116432 帖子:76

氮化镓技术

什么是氮化镓,氮化镓有哪些好处

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2023-02-14 标签:MOS管氮化镓OBC 1808 0

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2023-02-14 标签:晶圆晶体管氮化镓 937 0

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2023-02-13 标签:氮化镓GaN 3440 0

氮化镓技术在电源应用方面的优势

 GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料,与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比,它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率,GaN器件可以...

2023-02-13 标签:氮化镓 687 0

氮化镓和碳化硅的对比

氮化镓(GaN:Gallium Nitride)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定...

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2023-02-13 标签:晶体管电子器件氮化镓 5064 0

氮化镓中铬含量的二次离子质谱分析方法研究

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二次离子质谱是利用质谱法分辨一次离子入射到测试样品表面溅射生成的二次离子而得到材料表面元素含量及分布的一种方法。二次离子质谱仪可以进行包括氢在内的全元素...

2023-02-13 标签:半导体晶体管氮化镓 682 0

氮化镓技术概念股

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2023-02-13 标签:激光二极管半导体材料氮化镓 2698 0

碳化硅SiC MOSFET器件的结构及特性

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  SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元...

2023-02-12 标签:MOSFETSiC氮化镓 4944 0

氮化镓外延片的工艺及分类介绍

通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法(MOCVD)生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。

2023-02-12 标签:LED芯片氮化镓MOCVD 3146 0

硅基氮化镓的特性及其应用有哪些?

在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化为提高射频性能敞开了大门,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及缩小器件尺寸并最终节省系统空间。

2023-02-12 标签:半导体功率放大器氮化镓 776 0

谁发现了氮化镓半导体材料?这种材料的特性是什么?

氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,其具有宽带隙、高热导率等特点,宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合...

2023-02-12 标签:半导体氮化镓MOCVD 1130 0

什么叫氮化镓异质外延片?

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氮化镓(GaN) 是由氮和镓组成的一种半导体材料,因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器...

2023-02-11 标签:半导体材料氮化镓GaN 2080 0

氮化镓材料为什么如此昂贵?

可换成氮化镓就不一样了,单车变轿车,开关频率得到大幅提升,损耗还更小。如此一来,充电器就能用上体积更小的变压器、电容、电感。。。。。。从而有效缩小充电器...

2023-02-11 标签:充电器电感氮化镓 2328 0

硅基氮化镓工艺流程

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硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层,为中间产物。氮化镓功率器件是把特定电路所需的各种电子组件及线路,缩小并制作在极...

2023-02-11 标签:功率器件氮化镓硅基 1.1万 1

氮化镓技术在电源行业的应用

氮化镓(GaN)技术如今在电力电子行业风靡一时,这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度,因此能够减小电源的体积,并且降低其工作温度,该性能优势正...

2023-02-10 标签:电源充电器氮化镓 969 0

为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用?

仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是50...

2023-02-10 标签:氮化镓功率半导体 2030 0

多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件

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四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件。进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的...

2023-02-10 标签:集成电路氮化镓相控阵 816 0

什么是氮化镓(GaN)?什么是高电子迁移率晶体管?

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氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(...

2023-02-10 标签:集成电路晶体管氮化镓 5163 0

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